Частотные свойства полевых транзисторов
Идею создания полевого транзистора предложил Лилиенфельд в 1925 г. Первый действующий прибор удалось создать Шокли в 1952 г. В результате последующего интенсивного совершенствования полевой транзистор стал ведущим активным прибором полупроводниковой электроники и продвинулся до рабочих частот выше 100 ГГц.
Наибольшее распространение в устройствах СВЧ диапазона получил полевой транзистор с барьером Шоттки на затворе (ПТШ), упрощенная конструкция которого представлена на рис. 9.1.
| ||||||||||||||||
Рис. 9.1. Структура полевого транзистора с барьером Шоттки на затворе | ||||||||||||||||
Прибор изготовлен из GaAs на высокоомной («полуизолирующей») подложке, на которой методом эпитаксии выращен активный n-слой. Канал длиной lк расположен между омическими контактами истока и стока. Контакт затвора длиной lз формирует барьер Шоттки к n-слою канала. Статические выходные характеристики транзистора в схеме с общим истоком приведены на рис. 9.2, они принципиально не отличаются от характеристик полевых транзисторов других типов [7].
Рис. 9.2. Выходные характеристики транзистора в схеме с общим истоком | ||
ПТШ имеет встроенный канал, максимальный ток стока соответствует нулевому напряжению затвора.
По аналогии с рассмотренными в разделе 8.1 частотными свойствами биполярных транзисторов (см. соотношение 8.3) можно использовать упрощенное выражение для частоты отсечки коэффициента усиления wT с учетом основных факторов инерционности прибора:
, | (9.1) |
где
– постоянная времени зарядки емкости затвора Cз через сопротивление канала предыдущего транзистора rк ;
– время пролета носителей заряда через канал, ℇ (x) – распределение напряженности электрического поля в канале.
Рассмотрим эти выражения более подробно.
Сопротивление канала шириной b равно
. | (9.2) |
Для емкости затвора имеем:
. | (9.3) |
В реальных структурах длина затвора обычно близка к длине канала (см. раздел 9.2). Поэтому примем упрощение: , с учетом этого получаем:
. | (9.4) |
С целью упрощения выражения для времени пролета носителей через канал примем допущение об однородности распределения напряженности поля в данной области: , что дает
. | (9.5) |
Из анализа выражений (9.1), (9.4) и (9.5) следует, что
, | (9.6) |
где знак «~» означает пропорциональную зависимость.
Итак, для снижения факторов инерционности ПТШ и повышения предельной рабочей частоты требуется выбирать материал с максимальной подвижностью электронов и снижать длину пролетного участка l .
Дата добавления: 2018-05-25; просмотров: 2183;