Частотные свойства полевых транзисторов


 

Идею создания полевого транзистора предложил Лилиенфельд в 1925 г. Первый действующий прибор удалось создать Шокли в 1952 г. В результате последующего интенсивного совершенствования полевой транзистор стал ведущим активным прибором полупроводниковой электроники и продвинулся до рабочих частот выше 100 ГГц.

Наибольшее распространение в устройствах СВЧ диапазона получил полевой транзистор с барьером Шоттки на затворе (ПТШ), упрощенная конструкция которого представлена на рис. 9.1.

 

 

 
 
 
 
 
n
w
lк
lз
С
И
З
 
Полуиз. GaAs

 
Рис. 9.1. Структура полевого транзистора с барьером Шоттки на затворе
     

 

Прибор изготовлен из GaAs на высокоомной («полуизолирующей») подложке, на которой методом эпитаксии выращен активный n-слой. Канал длиной lк расположен между омическими контактами истока и стока. Контакт затвора длиной lз формирует барьер Шоттки к n-слою канала. Статические выходные характеристики транзистора в схеме с общим истоком приведены на рис. 9.2, они принципиально не отличаются от характеристик полевых транзисторов других типов [7].

 

   
Рис. 9.2. Выходные характеристики транзистора в схеме с общим истоком
     

 

ПТШ имеет встроенный канал, максимальный ток стока соответствует нулевому напряжению затвора.

По аналогии с рассмотренными в разделе 8.1 частотными свойствами биполярных транзисторов (см. соотношение 8.3) можно использовать упрощенное выражение для частоты отсечки коэффициента усиления wT с учетом основных факторов инерционности прибора:

, (9.1)

где

– постоянная времени зарядки емкости затвора Cз через сопротивление канала предыдущего транзистора rк ;

– время пролета носителей заряда через канал, (x) – распределение напряженности электрического поля в канале.

Рассмотрим эти выражения более подробно.

Сопротивление канала шириной b равно

. (9.2)

Для емкости затвора имеем:

. (9.3)

В реальных структурах длина затвора обычно близка к длине канала (см. раздел 9.2). Поэтому примем упрощение: , с учетом этого получаем:

. (9.4)

С целью упрощения выражения для времени пролета носителей через канал примем допущение об однородности распределения напряженности поля в данной области: , что дает

. (9.5)

Из анализа выражений (9.1), (9.4) и (9.5) следует, что

, (9.6)

где знак «~» означает пропорциональную зависимость.

Итак, для снижения факторов инерционности ПТШ и повышения предельной рабочей частоты требуется выбирать материал с максимальной подвижностью электронов и снижать длину пролетного участка l .

 



Дата добавления: 2018-05-25; просмотров: 2183;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.008 сек.