Обратная связь (ОС) – передача части мощности сигнала с выхода на вход схемы.
Таким образом, ёмкость КП на ВЧ ухудшает усилительные свойства транзистора.
· - сопротивление базы. Оно состоит из 2-х составляющих:
- омическое сопротивление слабо легированной области базы;
- небольшое сопротивление, обеспечивающее внутреннюю ОС в
Транзисторе.
H-параметры
Недостаток первичных параметров – невозможность их измерения, т.к. общая точка, относительно которой определяются первичные параметры, находится внутри Базы транзистора.
Поэтому переходят к вторичным параметрам транзистора, которые легко измерить. Самыми распространенными вторичными параметрами транзистора являются h-параметры.
В системе h-параметров в качестве независимых переменных (аргументов) принимают входной ток (I1) и выходное напряжение (U2). Зависимыми переменными (функциями) являются входное напряжение (U1) и выходной ток (I2).
Связь между зависимыми и независимыми переменными выражается с помощью системы уравнений:
U1 = h11I1 + h12U2
I2 = h21I1 + h22U2
Здесь I1, I2, U1, U2 – амплитуды переменных токов и напряжений (индекс «1» относится к входному сигналу, а индекс «2» - к выходному), h11, h12, h21,h22 являются коэффициентами пропорциональности (индекс «11» означает 1-я строчка, 1-й столбец; «12» - 1-я строчка, 2-й столбец и т.д.)
Таким образом, имеем систему 2-х уравнений с четырьмя неизвестными. Решить такую систему уравнений в общем виде невозможно. Для ее решения необходимы дополнительные условия.
Так, например, чтобы определить из первого уравнения h11, нужно второе слагаемое этого уравнения занулить, т.е. считать, что U2=0.
Тогда при - входное сопротивление транзистора при короткозамкнутом выходе.
Аналогично определяем:
при - коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутом входе;
при - коэффициент усиления по току при короткозамкнутом выходе;
при - выходная проводимость транзистора при разомкнутом входе.
Дата добавления: 2019-02-08; просмотров: 494;