Т-образная эквивалентная схема транзистора ОБ
· - генератор тока (учитывает усилительные свойства транзистора). Вместо генератора тока можно использовать генератор напряжения , соединенный последовательно с :
· - дифференциальное сопротивление прямо смещенного эмиттерного перехода (ЭП)
=доли Ома÷единицы Ома, т.е. мало
· - ёмкость ЭП. Эта ёмкость диффузионная (т.к. ЭП смещен в прямом направлении). Она относительно большая ( десятки пФ), но её влиянием можно пренебречь, т.к. она шунтирована малым сопротивлением прямо смещенного эмиттерного перехода .
· - дифференциальное сопротивление обратно смещенного коллекторного перехода (КП)
- может достигать сотен кОм÷десятки МОм, т.е. велико.
· - ёмкость КП. Эта ёмкость барьерная (т.к. КП смещен в обратном направлении). Она мала ( единицы пФ), но пренебрегать ею нельзя. На ВЧ реактивное сопротивление этой емкости уменьшается ( ), в результате чего часть выходного тока ответвляется через эту емкость и поступает на вход транзистора, не попадая в нагрузку, т.е. не участвуя в усилении. Другими словами: с помощью барьерной ёмкости на ВЧ в транзисторе осуществляется внутренняя обратная связь.
Дата добавления: 2019-02-08; просмотров: 508;