Параллельное включение транзисторных ГВВ.

Рассмотрим схему параллельного включения транзисторного ГВВ (рисунок 1). Характерной особенностью транзисторов является значительно больший разброс их параметров. Поэтому при параллельном или двухтактном включении в ряде случаев либо непосредственно подбирают транзисторы по параметрам, либо применяют различные схемные решения, которые обеспечивают лучшую симметрию их работы.

Рисунок 1.Схема параллельного включения транзисторов по схеме с ОБ.

На рисунке 1. показан генератор на двух параллельно включенных биполярных транзисторах по схеме с ОБ с резонансной нагрузкой. Разделение LC-элементов во входных и выходных цепях связи и цепи коллекторного питания позволяют:

Во-первых, легче добиться симметрии монтажа схемы;

Во-вторых, подстраивать коллекторную цепь каждого из них и выравнять режимы работы транзисторов, отдельно контролируя их постоянные составляющие токов I_К0 вплоть до индивидуальной подстройки цепей связи каждого из них;

В-третьих, увеличить входные и нагрузочные сопротивления.

В схеме рисунок 1. при достаточно больших и одинаковых индуктивностях L₂, когда их сопротивления оказываются много больше входных сопротивлений транзисторов (wL₂>> ), обеспечивается равенство входных эмиттерных токов . Поскольку коэффициент усиления по току в схеме с ОБ приблизительно равен 1, то одновременно обеспечивается равенство амплитуд коллекторных токов обоих транзисторов: .

Ввиду взаимного влияния, сложности в настройке, положительного температурного коэффициента для токов и, как следствие этого, снижение надежности, параллельное включение биполярных транзисторов в настоящее время используется сравнительно редко и не более двух-трех. В этом отношении значительно лучше у полевых транзисторов, благодаря отрицательному температурному коэффициенту для токов для них менее опасен разброс их параметров и несимметрия в схеме.