ГВВ на транзисторе, схема и принцип работы.

Особенности транзисторного генератора при работе в недонапряженном режиме по сравнению с ламповым генератором выражаются двумя обстоятельствами:

1. Инерционное явление в транзисторе проявляется во всем рабочем диапазоне частоты, поэтому используют схемы не предельно возможными. Для анализа используют эквивалентную схему транзистора, в которой инерционные явления отражаются наличием реактивных элементов.

2. Входное сопротивление мощности соизмеримо с внутренней частотой источника возбуждения, поэтому формы напряжения и тока на входе транзистора значительно отличаются от гармонических. Кроме того, в транзисторе обратная связь между входной и выходной цепями генератора, из-за наличия емкостей переходов и выводов. Анализ формы тока и напряжения надо проводить по полной эквивалентной схеме генератора, включающего в себя эквивалентную схему транзистора, внутреннее сопротивление источника возбуждения и сопротивление настройки. Рассмотрим схему ГВВ на транзисторе (рисунок 1).

Рисунок 1.Генератор с внешним возбуждением на транзисторе.

Назначение элементов:

С₁, С₂ – разделительные конденсаторы, которые легко пропускают ток высокой частоты и не пропускают постоянный ток.

L₁, L₃ – дроссели высокой частоты, у которых сопротивления для рабочей частоты велико, а для постоянного тока – мало.

L₁ исключает ответвление входного сигнала на корпус, L₃ исключает попадание высокочастотного сигнала в цепь питания.

С₆ – блокировочный конденсатор, его сопротивление для рабочей частоты очень мало, его рабочее напряжение не менее .

С₈ – сглаживающий конденсатор.

С₂, С₃, С₇, С₄ – шунтирующие элементы по ВЧ, R₁, R₂ – нужны для обеспечения режима работы транзистора по постоянному току, т.е. подготавливают его к работе за счет напряжения смещения от общего источника питания с такой же полярностью.

, где - условие достаточной термостабильности тока транзистора, при этом .

Известно, что при увеличении температуры, ток транзистора растет, сигнал увеличивается, искажается, транзистор перегревается, в результате возникает тепловой пробой.

Iд≈3Iбо

- условие термостабильности.

U_Э0≈0,1Е

При этом условии потенциал базы постоянный и зависит от тока делителя.

R₃ работает как элемент ООС, в котором изменяется напряжение смещения и поддерживается ток транзистора неизменным.

С₂ шунтирует R₃ по ВЧ, чтобы не было ООС по ВЧ. Так, если отключить С₁, сигнал на выходе уменьшится приблизительно в 3 раза.