МДП-транзистор с индуцированным каналом

В отличие от транзистора со встроенным каналом здесь первоначально на подложке p-типа создают только области истока и стока с проводимостью n-типа, а канал не создают. Поэтому при отсутствии управляющего напряжения на затворе ( = 0) транзистор остается закрытым независимо от величины и полярности напряжения между стоком и истоком . Это объясняется тем, что при любой полярности напряжения один из p–n-переходов (исток-подложка, сток-подложка) находится под обратным напряжением (рис. 6.14).

При подаче на затвор положительного напряжения > 0 электрическое поле затвора отталкивает дырки от верхнего слоя p-области в глубину ПП, а электроны притягивает в этот слой к границе с диэлектриком. Это приводит к изменению типа электропроводности тонкого слоя у границы на противоположный, т.е. образуется (или индуцируется под действием электрического поля) проводящий канал n-типа. С ростом концентрация электронов в зоне канала возрастает, а следовательно, растет ток стока. С понижением происходят обратные процессы.

При отрицательном напряжении < 0 канал n-типа не индуцируется, и транзистор остается закрытым. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом n-типа работает только в режиме обогащения канала носителями заряда.

Семейства стоковых и сток-затворных характеристик этого транзистора приведены на рис. 6.15. По форме характеристики такие же, как для ПТ с p–n-переходом и МДП-транзистора со встроенным каналом, но их расположение иное.

Рис. 5.14. Структура полевого транзистора с индуцированным каналом (а);

условное графическое и позиционное обозначение транзистора

с каналом n-типа (б) и p-типа (в); с каналом n-типа и выводом от

подложки (г); с каналом p-типа и выводом от подложки (д)

Рис. 5.15. Семейство стоковых характеристик (а) и сток-затворных характеристик (б) МДП-транзистора с индуцированным каналом n-типа

Преимущество МДП-транзисторов перед ПТ с p–n-переходом состоит в более высоком входном сопротивлении, достигающем значений Ом. Кроме того, их сток-затворные характеристики обладают большей крутизной (до нескольких десятков миллиампер на вольт).