Следует отметить, что когда речь идет о диодном тиристоре, то всегда используется термин «динистор», а когда о триодном, то чаще вместо «тринистор» говорят просто «тиристор»

Важной особенностью почти всех типов полупроводниковых приборов с четырехслойной структурой является их способность работать в импульсных режимах с токами, значительно превышающими допустимые постоянные токи воткрытом состоянии. Так, например, динисторы КН102 при постоянном токе не более 0.2А допускают импульсный ток до 10 А, тиристоры типов КУ203 и КУ216 способны пропускать импульсные токи до 100 А при допустимом постоянном токе 5 А и т. д.

Включение тиристоров постоянным и импульсным токами.

На рис. показаны отпирающий сигнал (ток iу), длительность фронта которого для простоты . принята равной нулю, и кривая нара­стания прямого тока, на которой отмечены две точки, соответствующие уровням 0,1 и 0,9 установившегося зна­чения тока Iпр.

Время, необходимое для того, чтобы ток тринистора достиг уровня 0,1 установившегося значения, называется временем задержки по управляющему электроду tу.зд. Временной интервал между уровнями 0,1 и 0,9 установившегося значения тока называется временем нарастания прямого тока tпр. За точкой 0,9 Iпр ток растет значительно медленнее, это-время распространения тока на всю проводящую площадь перехода. Уровни, по которым отсчитываются указанные интервалы, показаны на рис.

Время включения по управляющему электроду тринистора t у.вкл, которое приводится в справочных данных:

t у.вкл=t у.зд+t нр

Обычноt у.зд в несколько раз больше t нр

и практически определяет время t у.вкл .

В течение времени задержки t у.зд во внутренней р-области накапливаете минимальный заряд, достаточный для развития лавинообразного процесса на­растания тока через структуру. В этом интервале времени через тринистор про- ходит небольшой ток, в основном определяемый током управляющего электро­да (16). Процесс включения среднего перехода I2(рис. 1.а) только развивает­ся, и, если в течение промежутка времени t у.зд снять управляющий сигнал, тринистор возвратится в закрытое состояние. Время задержки в некоторых преде­лах зависит от тока управления Iy: возрастает при уменьшении тока Iу и не­сколько сокращается при увеличении тока до значения импульсного отпираю­щего тока Iу.от.и. При токах Iу > Iу.от.изадержка t у.зд практически не меняется.

В конце интервала времени t у.зд прямой ток достигает значения тока удержкания, и в полупроводниковой структуре начинает развиваться лавинообразный процесс нарастания тока.. При больших токах управления, имеющих фронт с крутизной несколько ампер в микросекунду, зона начальной проводимости среднего пере­хода увеличивается. Скорость распространения процесса включения в среднем (коллекторном) переходе зависит от конструкции управляющего электрода структуры и составляет примерно 1 ... 10 мм/мкс.

Время включения по управляющему электроду t у.вкл у маломощных три- нисторов составляет 1 ...2 мкс, у приборов средней мощности доходит до 10мкс. Приборы, специально предназначенные для импульсного режима работы, имеют меньшее значение t у.вкл . Например, у тринисторов КУ104 оно не превышает 0,3 мкс, а у тринисторов КУ216 0,15 мкс.

Для уверенного отпирания тринистора от источника постоянного тока зна­чения управляющего тока Iу и управляющего напряжения Uу выбираются из условий

Iу>=Iу.от

Uу>=Uу.от

Iу Uу <= Ру

где Iу.от - постоянный отпирающий ток управления: Uу.от - постоянное отпирающее напряжение управления; Ру - допустимая средняя мощность, рассеиваемая на управляющем электроде.