МДП-транзистор со встроенным каналом

В МДП-транзисторе со встроенным каналом n-типа исходным материалом является кремниевая пластина p-типа (рис. 5.12, а), называемая подложкой. В этой пластине создают области n⁺-типа с большой концентрацией примесей, образующие сток и исток, а между ними – тонкий слой n-типа с малой концентрацией примесей, являющийся токопроводящим каналом. На поверхности пластины создается тонкая пленка , которая изолирует металлический затвор канала. Длина канала от истока до стока составляет единицы микрометров, ширина его – сотни микрометров, толщина слоя – 0,1 – 0,2 мкм.

Металлические выводы создаются от областей стока, истока, затвора и в некоторых случаях от подложки. Чаще всего вывод от подложки электрически соединяют с истоком внутри корпуса транзистора. Условные графические и позиционные обозначения МДП-транзисторов со встроенным каналом приведены на рис.5.12, б-д.

Рис. 5.12. Структура полевого транзистора с изолированным затвором и

встроенным каналом n-типа (а); условное графическое и позиционное

обозначения транзистора со встроенным каналом n-типа (б) и p-типа (в),

с каналом n-типа и выводом от подложки (г), с каналом p-типа и выводом

от подложки (д), е – схема простейшего усилителя на МДП-транзисторе

Рис. 5.13. Семейство стоковых характеристик (а) и сток-затворных

характеристик (б) МДП-транзистора со встроенным каналом n-типа