МДП-ТРАНЗИТОРЫ С ВСТРОЕННЫМ ПРОВОДЯЩИМ КАНАЛОМ

Устройство полевого МДП-транзистора с изолированным затвором и встроенным п-каналом показано на рис. 5.7. а.

Рис. 5.7. Устройство полевого транзистора с изолированным

затвором и встроенным проводящим каналом.

В этом случае в структуре МДП-транзистора при изготовлении методом диффузии формируется канал типа «п». При подаче на затвор отрицательного потенциала в канале индуцируются положительные заряды и формируется обедненный слой, который увеличивает удельное сопротивление канала. Этот процесс иллюстрирует рис. 5.7.б. При этом таком состоя­нии вольтамперные характеристики транзистора аналогичны характеристикам полевого транзистора с управляющим р-п переходом при отрицательном потенциале на затворе между истоком и стоком.

При подаче на затвор транзистора со встроенным каналом типа п положительного потенциала, то индуцированные отрицатель­ные заряды в канале приведут к снижению удельного сопротивле­ния канала, и прибор станет работать как МДП-транзистор с индуцированным каналом.

Выходная (а) и переходная (б) статические вольтамперные характеристики транзистора с встроенным «п» проводящем каналом приведены на рис.5.8.

Рис. 5.8. Статические вольтамперные характеристики МДП-транзистора

с изолированным затвором и со встроенным «п» проводящем каналом.

На рис.5.9. приведены условные обозначения полевых транзисторов на электрических схемах.

Рис. 5.9. Условные обозначения полевых транзисторов :

а) и б) – полевые канальные транзисторы с управляющим р-п переходом;

в) и г) – МДП-транзисторы с изолированным затвором и встроенными п и р проводяшими каналами;

д) и е) – МДП-транзисторы с изолированным затвором и индуцированными п и р каналами.