Порядок выполнения работ


1.Изучить принцип действия транзистора, обратив внимание на его основное свойство – способность усиливать электрические сигналы.

2.Выписать из справочника основные параметры исследуемого транзистора

3.Для исследования ВАХ транзистора собрать схему с ОЭ (см. рис. 1).

4.Снять семейство входных характеристик при напряжениях Uкэ = 0 и Uкэ = 10 В и управ­ляющую характеристику при напряжении Uкэ =10В. Напряжение Uбэ изменять от нуля до значения, при котором ток коллектора достигает значения Iк.доп для данного транзи­стора. Обе зависимости реко­мендуется воспроизвести на од­ном графике, выбрав разные мас­штабы по оси токов.

5.Снять семейство выходных характеристик транзистора при трех значениях тока базы. Значения токов IБ, при которых снимаются выходные характеристики, определить так, чтобы наибольшее значение IБ соответствовало значению IК, близкому к 0,8×IК.доп., а наименьшее значение – значению 0,4×IК.доп.. Третье значение IБ выбрать среднее между ними (следует помнить, что ток базы и ток коллектора связаны следующим соотношением Iб = Iк / h21э).

6.По экспериментальным дан­ным построить характеристики.

7.Определить h-параметры транзистора в схеме с ОЭ. Параметры h22э и h21э определяют по выходным, а h11э и h12э – по входным характеристикам.

1)Определение выходной проводимости транзистора в схеме с ОЭ h22э.


На линейном участке выходных характеристик транзистора, полу­ченных экспериментально в схеме ОЭ, выбрать рабочую точку А (т.е. задать Iбп и Uкэп), в кото­рой требуется найти h-параметры (рис. 2).

 

Далее при постоянном токе базы Iбп задать приращение и найти получающееся при этом приращение тока коллектора . Выходная проводимость транзи­стора h22Э вычисляется по форму­ле:

,

2)Определение коэффициента передачи тока в схеме ОЭ h21э.

По выходным характеристикам схемы ОЭ (рис. 2) при посто­янном напряжении на коллекторе (UКЭП=const), определить приращение тока коллектора , переходя вдоль вертикаль­ной оси с характеристики с базовым током IБ1, до другой -с базовым током IБ3. Коэффициент передачи тока h21Э вычисляется по формуле:

.

3)Определение входного сопротивления в схеме с ОЭ h11э.

На входных, характеристиках транзистора с ОЭ (рис. 3), полу­ченных экспериментально, выбрать ра­бочую точку А, ту же, что и при опре­делении параметра h22Э.

Задать приращение тока базы ( ) при постоянном напряжении на коллекторе и найти получившееся при этом приращение напряжения базы ( ). Входное сопротивление h11э оп­ределяется по формуле:


.

4) Определение коэффициента обратной связи по напряжению h12э.

По входным характеристикам в той же рабочей точке А при постоян­ном токе базы задать приращение напряжения «коллектор – эмиттер» ( ) (перейти на соседнюю характеристику) (рис.3.). Определить получающееся при этом изменение напряжения «база – эмиттер» ( ).

Коэффициент обратной связи по напряжению h12э находится по формуле:

.

Для маломощных низкочастотных транзисторов, работающих в активном режиме в схеме с ОЭ, значения h-параметров лежат в пределах:

h11э = 102...103 Ом; h12э = 10 -4...10 -3;

h21э = 10...100 ; h22э = 10 -5...10 -4 Ом –1.

 



Дата добавления: 2016-05-28; просмотров: 1551;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.008 сек.