Классификация и система обозначения полупроводниковых диодов

Классификация полупроводниковых диодов установлена: по типу p-n перехода; по типу полупроводникового материала, из которого изготовлен диод; по назначению и по основным параметрам (табл. 2.1).

Таблица 2.1

Классификация полупроводниковых диодов

Система обозначения полупроводниковых диодов определяется отраслевым стандартом ОСТ 11336.038 – 81 и его последующими редакциями, и представляет собой семизначный буквенно-цифровой код.

К

Д

А

-П

На первом месте цифра или буква обозначают полупроводниковый материал, на втором месте буква обозначает подкласс (см. табл. 2.1).

На третьем месте цифра обозначает назначение (область применения) диода:

1 - малой мощности (I_пр.ср £ 0,3 А), низкочастотный (до 1 кГц);

2 - средней мощности (I_пр.ср £ 3 А), низкочастотный;

3 - большой мощности (I_пр.ср £ 10 А), низкочастотный;

4 - переключательный (только для подкласса Д);

5…9 - импульсные высоко и сверхвысокочастотные.

На четвёртом и пятом месте цифры обозначают порядковый номер разработки.

На шестом месте буква обозначает отличие по основным параметрам, обычно по максимально допустимому обратному напряжению U_{обр.макс}.

На седьмом месте буква обозначает отличие по конструктивному исполнению:

М - отличие по материалу корпуса (если основная серия в металлическом корпусе, то с буквой М – в пластмассовом);

П - отличие по полярности выводов (в металлостеклянном корпусе с гайкой);

С - сборка (несколько диодов в одном корпусе соединены в матрицу с общим анодом или с общим катодом).