А – в схеме с ОБ; б – в схеме с ОЭ

1. r_б – это объемное сопротивление базы.Оно определяется в направлении прохождения базового тока от границы с эмиттерным переходом. Численное значение r_бзависит от типа транзистора и составляет 100 – 400 Ом. Через сопротивление r_б протекают токи входного и выходного контуров, поэтому оно является сопротивлением, посредством которого осуществляется обратная связь в транзисторе

2. r_Э – это дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.Этот параметр характеризует наклон входной характеристики транзистора в рабочей точке:

rэ = DUэ/ DIэ, при Uк= const.

Поскольку эмиттерный переход является аналогом прямосмещённого p-n-перехода, то, используя выражение для вольт-амперной характеристики прямосмещённого p-n-перехода (1.19), легко получить формулу для расчёта rэ в виде:

(3.26)

Из этого выражения видно, что величина rэ зависит от постоянного тока в выбранной рабочей точке. Численное значение rэ лежит в пределах от единиц до десятков Ом.

3. aIэ – эквивалентный источник выходного тока,который учитывает составляющую эмиттерного тока, проходящего в коллектор.

4. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в обратном направлении:

, при Iэ = const. (3.27)

5. e∙Uкб – напряжение обратной связи – определяет влияние коллекторного напряжения на входную цепь транзистора. Численное значение коэффициента обратной связи eсравнительно мало ( 10^–4 – 10^–3 ), поэтому источник напряжения e∙Uкб в схему замещениячасто не вводят.

6. СэиСк – емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Каждая из них равна сумме барьерной и диффузионной емкостей соответственного перехода. Емкость Сэ, определяемая в основном диффузионной емкостью, составляет сотни пикофарад, а емкость Ск, определяемая в основном барьерной емкостью, – десятки пикофарад. Однако емкость Сэ зашунтирована малым сопротивлением rэ, а емкость Ск – большим сопротивлением rк. Поэтому емкость Ск учитывают на частотах в десятки килогерц, а емкость Сэ – только на частотах, превышающих единицы и десятки мегагерц.

Т-образная схема замещения транзистора с ОЭ приведена на рис. 3.14, б. Сопротивления r_эи r_бимеют тот же физический смысл и тот же порядок величин, что и в схеме с ОБ. Источник напряжения, учитывающий обратную связь в транзисторе, в схеме замещения не показан ввиду малого значения коэффициента обратной связи.

Поскольку входным током в схеме с ОЭ является ток базы, в выходную цепь схемы замещения введён источник тока bI_б. Направления токов такие же, как и в схеме с ОБ. Как было показано выше (3.17), сопротивление коллекторного перехода rкэ значительно меньше, чем r_к в схеме с ОБ. В схеме с ОЭ уменьшается также емкостное сопротивление емкости Ск, что соответствует увеличению емкости коллекторного перехода:

Скэ = Ск(1 + b). (3.28)

Увеличение емкости Скэ приводит к еще большему ее влиянию на работу транзистора в области повышенных частот по сравнению с емкостью Сэ. В связи с этим емкость Сэв схеме с ОЭ обычно не учитывают.

Дифференциальный коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ b = dIк / dIб (Uкэ = const) является также частотно-зависимым. Граничную частоту f_b в схеме с ОЭ определяют, как и в схеме с ОБ, по снижению коэффициента передачи тока в Ö2 раз:

f_b = f_a / (1 + b ), (3.29) т. е. частотные свойства транзистора в схеме с ОЭ хуже, чем в схеме с ОБ.

Транзистор – как активный четырехполюсник. H-параметры транзистора.Недостатком физических параметров является невозможность их прямого измерения, поскольку границы раздела слоев и переходов структуры недоступны для подключения измерительных приборов.

При определении переменных составляющих токов и напряжений (т. е. при анализе на переменном токе) и при условии, что транзистор работает в активном режиме, его часто представляют в виде линейного четырехполюсника (рис. 3.15). В четырехполюснике условно изображен транзистор с ОЭ.

Рис. 3.15. Четырехполюсник: