А – схема структурная; б – схема эквивалентная

Связь между входными и выходными напряжениями и токами четырехполюсника выражается системой двух уравнений:

U₁ = h₁₁I₁ + h₁₂U_2,

I₂ = h₂₁I₁ + h₂₂ U_2. (3.30)

Для разных схем включения транзистора токи и напряжения этого четырехполюсника обозначают различные токи и напряжения транзистора. Например, для схемы с ОЭ эти токи и напряжения (амплитуда или действующее значение) следующие:

I₁ – ток базы;

U₁ – напряжение база-эмиттер;

I₂ – ток коллектора;

U₂ – напряжение коллектор-эмиттер.

Коэффициенты hij определяют опытным путем. Для их определения делают два опыта: короткого замыкания (КЗ) на выходе и холостого хода (ХХ) на ходе по переменному току.

При КЗ на выходе (напряжение на выходе u₂ = const, а переменное напряжение U₂ = 0) определяют коэффициенты h₁₁ и h₂₁:

– входное сопротивление транзистора;

– коэффициент передачи тока.

При ХХ на входе(входной ток i₁ = const, а переменный ток I₁ = 0) определяют коэффициенты h₁₂ и h₂₂:

– коэффициент обратной связи по напряжению.

– выходная проводимость

Эквивалентная схема транзистора с ОЭ, соответствующая приведенными выше уравнениям четырехполюсника, приведена на рис. 3.15, б.

Параметры, соответствующие схеме с общим эмиттером обозначают буквой «э», а схеме с общей базой – буквой «б».

Можно показать, что

Полученные соотношения для h-параметров можно использовать для выражения физических параметров транзистора через его h-параметры:

rэ = h_11б – (1 - h_21б)* h_12б / h_22б;

rб = h_12б / h_22б;

rк = 1 / h_22б ;

a = h_21б.