НЕ; 2 – ИЛИ; 3 – И; 4 – ИЛИ-НЕ; 5 – И-НЕ; 6 – исключающее ИЛИ

Поэтому с целью упрощения документации были введены символы, которые обозначают только лишь логическую функцию и не раскрывают внутреннее строение схемы.

В качестве примера на рис 3.12 приведено условное графическое изображение некоторых логических элементов.

Более подробное описание логических элементов их параметров и применений в вычислительной технике приводится в ряде учебников и других учебных пособиях [7, 9].

Усилительный режим работы транзистора

Между режимами насыщения и отсечки на выходных характеристиках транзистора находится усилительный режим. В этом режиме в некотором диапазоне изменения базовых токов (и соответствующих им базовых напряжений) ток коллектора и соответствующее ему напряжение на коллекторе будут плавно меняться. Соотношение между токами будет определяться величиной коэффициента усиления по току для малого сигнала:

Свойство усиления тока коллектора используется для усиления электрических сигналов. Принцип действия усилителя можно пояснить с помощью схемы простейшего усилительного каскада, приведённого на рис. 3.13. Основой усилителя являются два элемента: сопротивление Rк и транзистор VT.

Рис. 3.13. Схема простейшего усилителя

Под воздействием входного сигнала Uвх изменяются входной ( ) и выходной ( ) токи. Выходной ток значительно превышает входной. В результате в такт с изменением входного сигнала, изменяется падение напряжения на сопротивлении Rк, а следовательно, и выходное напряжение Uвых. = Е – Iк·Rк. При правильно спроектированном усилителе нетрудно получить Uвых > Uвх и Рвых > Рвх.

Поскольку транзистор проводит ток только в одном направлении, а большинство усиливаемых сигналов являются переменными, то для усиления переменного сигнала без искажений транзистор приоткрывают, подавая на вход начальное напряжение смещения с таким расчетом, чтобы рабочая точка находилась на нагрузочной прямой между режимами насыщения и отсечки (см. рис. 3.7). При этом входные и выходные напряжения и токи содержат постоянную и переменную составляющие. Поскольку информационной является только переменная составляющая, то основные параметры усилителя определяются для переменных токов и напряжений с использованием эквивалентных схем для переменного тока. Представление транзистора схемой замещения необходимо для проведения расчетов цепей с транзисторами. Так как значения напряжений и токов переменного сигнала значительно меньше, чем постоянные, то такие схемы называют малосигнальными.

Наиболее точно структуру транзистора отражает Т-образная схема. Т-образная схема замещения транзистора с ОБ (рис. 3.14, а) представляет собой сочетание входного и выходного контуров. Все сопротивления, входящие в эквивалентные схемы, дифференциальные, за исключением омического сопротивления базы r_б.

Рис. 3.14. Эквивалентные малосигнальные схемы транзистора: