H-параметры транзистора, включенного по схеме с ОБ.

Низкочастотные h-параметры транзистора можно с достаточной точностью измерить без источника переменного напряжения (с-ла), используя приращения постоянных напряжений и токов. В этом случае отпадает также необходимость включения конденсатора параллельно выходу и катушки последовательно со входом транзистора, так как режим КЗ по переменному току на выходе u2=0 в данном случае обеспечивается неизменностью постоянного напряжения на выходе (u2=const), а режим ХХ по переменному току на входе (i1=0) – неизменностью постоянного входного тока ( I1=сonst).

Для схемы с ОБ

- входное дифференциальное сопротивление транзистора в заданной точке. Условие необходимо соблюдать для того, чтобы изменения не влияли на , а значит, и на .

- коэффициент ОС по напряжению, показывающий, на сколько мВ нужно изменить Uэб для поддржания Iэ=const при изменении Uкб на 1мВ. Условие означает, что приросты и вызывают одинаковые по величине и противоположные по знаку приросты тока эмиттера и поэтому последний остается неизменным.

- коэффициент передачи тока эмиттера.

Условие говорит о том, что прирост тока коллектора возник только за счет приращения тока эмиттера .

Параметр численно равен физическому параметру – дифференциальному коэффициенту передачи тока эмиттера в схеме с ОБ , но имеет отрицательный знак:

.

Последнее объясняется тем, что когда транзистор представляют как четырехполюсник, за положительное направление входного и выходного токов принимают направления в сторону четырехполюсника, то есть положительными считаются токи, втекающие в четырехполюсник(рис.19). А в схеме с ОБ коллекторный ток вытекает из транзистора и поэтому считается отрицательным.

- выходная проводимость транзистора.

Условие указывает на то, что в данном случае прирост коллекторного тока обусловлен лишь изменением коллекторного напряжения .