Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах


 

К областям применения аналоговых оптронов можно отнести использование их в широкополосных трансформаторных устройствах, в усилителях различных сигналов, в аналоговых ключах и регуляторах. Схема простого усилителя и аналогового ключа на основе оптрона, обеспечивающего электрическую развязку от остальной части схемы, изображена на рисунке 9.4. Входной сигнал, подаваемый на вход оптрона, после преобразования в излучение попадает на базу фоторезистора, осуществляя тем самым управление амплитудой тока на выходе оптопары и напряжением на сопротивлении нагрузки Rн. Коэффициент передачи всего устройства определяется значением к1 используемого транзисторного оптрона. Если на вход светодиода подать запирающее напряжение Uупр, то коммутация аналогового сигнала происходить не будет (состояние выключено).

 

Рисунок 9.4 – Пример применения оптронов в аналоговом устройстве

 

К светодиоду прикладываются отпирающее напряжение смещения и напряжение коммутирующего сигнала (состояние включено).

Электронный регулятор и ключ потенциометрического типа может быть выполнен по схеме рисунка 9.5. Здесь используется диодно-резисторный оптрон. Фоторезистор используется в качестве сопротивления управляемого световым потоком светодиода. Коэффициент передачи определяется по формуле . При Uупр = 0 коэффициент передачи близок к нулю.

В аналоговых устройствах используют диодные и резисторные, а так же (в некоторых случаях) транзисторные оптопары. Требования к аналоговым оптронам определяются конкретными условиями их применения и поэтому общего критерия качества, подобного тому, который имеет место в случае цифровых оптронов (добротности), для них нет.

Рисунок 9.5 – Схема электронного регулятора и ключа потенциометрического типа

 

В то же время для сохранения формы передаваемого сигнала желательна линейность передаточной характеристики (постоянство к1 в достаточно широком диапазоне токов). Этому требованию в наибольшей мере отвечают диодные оптроны, хотя у них интервал значений I1, при которых к1, постоянен, не слишком велик. Так, например, у оптопары АОД 101 даже при ее термостатировании передача аналогового сигнала с нелинейностью менее 2% осуществляется лишь при двух-трехкратном изменении I1.

Сказанное означает, что при проектировании аналоговых устройств, использующих оптроны, необходимо предусматривать дополнительные меры по линеаризации передаточной характеристики. В этой связи перспективным является применение дифференциальных оптронов (с одним излучателем и двумя фотоприемниками), у которых коэффициент передачи по току между излучателем и первым фотоприемником, а также между излучателем и вторым фотоприемником одинаковы, причем в равной мере меняются в зависимости от условий работы (Т, I1, U1). Фотоприемники включены таким образом, чтобы при подаче сигнала входной ток одного из них увеличивался, а другого в той же мере уменьшался. Увеличение к1, первого канала оптрона примерно компенсируется уменьшением к1 второго, а общая передаточная характеристика оптопары выравнивается.

Принципиальная схема оптоэлектронной ИМС К249КН1 приведена на рисунке 9.6. Микросхема предназначена для коммутации аналоговых сигналов. Она содержит два диодных оптрона и электронного ключа на транзисторах VT1 и VT2, выходы которых включены встречно последовательно для уменьшения остаточного напряжения до величины 0,1 мВ. При протекании прямого тока через светодиоды CD1 и CD2 возникает световой поток, воздействующий на фотодиоды ФD1 и ФD2, работающие в фотогальваническом режиме.

Рисунок 9.6 – Принципиальная схема оптоэлектронной ИМС К249КН1

 

Фотодиоды включены последовательно с целью формирования суммарной фото-ЭДС, достаточной для надежного открывания биполярных транзисторов в состоянии «включено». В этом случае биполярные транзисторы имеют низкие значения выходного сопротивления и коммутирующее напряжение Uвх с малым затуханием поступает в нагрузку ключа.

Если управляющее напряжение отсутствует, светодиоды свет не излучают и, следовательно, фото-ЭДС равна нулю, биполярные транзисторы находятся в закрытом состоянии; а ключ обеспечивает состояние «выключено». Микросхема выполнена по гибридно-пленочной технологии т.к. светодиоды невозможно изготовить с использованием кремниевой технологии полупроводниковых ИМС.

 



Дата добавления: 2017-05-02; просмотров: 3235;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.008 сек.