Основные характеристики и параметры фоторезистора
Вольт-амперная характеристика – это зависимость тока I через фоторезистор от напряжения U, приложенного к его выводам, при различных значениях светового потока Ф (в соответствии с рис. 6.23, в). Ток при Ф=0 называется темновым током IT, при Ф>0 – общим током IОБЩ. Разность этих токов равна фототоку
I Ф = IОБЩ – IТ . (5.46)
Энергетическая характеристика – это зависимость фототока (фоторезистора) от светового потока при U = const (в соответствии с рис. 5.21, г). В области малых Ф она линейна, а при увеличении Ф рост фототока замедляется из-за возрастания вероятности рекомбинаций носителей заряда через ловушки и уменьшения их времени жизни. Энергетическая характеристика иногда называется люкс-амперной, тогда по оси абсцисс откладывается не световой поток, а освещенность Е в люксах.
Чувствительность. Для фоторезисторов чаще всего используют токовую чувствительность S, под которой понимают отношение фототока (или его приращения) к величине, характеризуюшей излучение (или его приращение). При отношении приращений чувствительность называют дифференциальной.
В зависимости от того, какой величиной характеризуется излучение, различают токовую чувствительность к световому потоку Ф: SФ=IФ/Ф; токовую чувствительность к освещенности Е
SЕ = IФ/Е. (5.47)
При этом в зависимости от спектрального состава излученного света чувствительности могут быть либо интегральными SИНТ (при немонохроматическом излучении), либо монохроматическими Sl (при монохроматическом излучении).
В качестве одного из основных параметров фоторезистора используют величину удельной интегральной чувствительности, которая характеризуют интегральную чувствительность, когда к фоторезистору приложено напряжение 1В
SФ.ИНТ.УД.=IФ/(ФU). (5.48)
У промышленных фоторезисторов удельная интегральная чувствительность имеет пределы десятые доли-сотни мА/(В×лм) при освещенности Е=200 лк.
Абсолютная Sабс(l) и относительная S(l) спектральные характеристики. Абсолютная спектральная характеристика представляет собой зависимость монохроматической чувствительности, выраженной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения.
Относительная спектральная характеристика является зависимостью монохроматической чувствительности от длины волны, отнесенной к значению максимальной чувствительности
S(l)=Sабс(l)/Sl max. (5.49)
Спектральная характеристика определяется материалом фоторезистора и введенными в него примесями. На рис. 5.21, д показаны спектральные характеристики фоторезисторов, выполненных на основе материалов: 1-CdS; 2-CdSe; 3-CdTe. Вид спектральной характеристики свидетельствует о том, что для фоторезисторов некоторых типов необходимо тщательно подбирать пару излучатель-фотоприемник.
Граничная частота-это частота ¦гр синусоидального сигнала, моделирующего световой поток, при котором чувствительность фоторезистора уменьшается в раз по сравнению с чувствительностью при немодулированном потоке (¦гр»103¸105 Гц).
В ряде случаев частотные свойства фоторезистора характеризуются переходной характеристикой, приведенной для полупроводника с высокой (кривая 1) и низкой (кривая 2) темновой проводимостями (в соответствии с рис. 5.22, а, б). Хотя истинная переходная характеристика обычно не является строго экспоненциальной, в большинстве случаев инерционность характеризуют постоянной времени t.
Температурный коэффициент фототока характеризует изменение параметров фоторезистора с изменением температуры
. (5.50)
Рис. 5.22. Входной сигнал (а), переходная (б) и температурная (в) характеристики фоторезистора и его условное обозначение (г)
У промышленных фоторезисторов aТ » (-10-3¸10-4) град-1. Иногда используют температурную характеристику фоторезистора, показывающую относительное изменение сопротивления при изменении температуры окружающей среды (в соответствии с рис. 5.22, в).
Пороговый поток – это минимальное значение потока ФП, которое может обнаружить фоторезистор на фоне собственных шумов. Определяется ФП как среднеквадратичное значение синусоидально-модулированного светового потока, при воздействии которого среднеквадратичное значение выходного электрического сигнала равно среднеквадратичному значению шумов фоторезистора.
Дата добавления: 2017-05-02; просмотров: 2759;