Фотодиоды с p–i–n структурой
Расширение частотного диапазона фотодиода без снижения его чувствительности возможно в p-i-n структурах (в соответствии с рис. 5.7).
В p-i-n структуре i-область заключена между двумя областями противоположного типа электропроводимости и имеет удельное сопротивление, в (106-107) раз больше, чем сопротивление легированных областей n- и p-типов. При достаточно больших обратных напряжениях сильное и почти однородное электрическое поле напряженностью Е распространяется на всю i-область.
Рис. 5.7. Фотодиод с p-i-n структурой
Поскольку эта область может быть сделана достаточно широкой. Такая структура создает основу для получения быстродействующего и чувствительного приемника. Дырки и электроны, появившиеся в i-области за счет поглощения излучения, быстро разделяются электрическим полем. Энергетическая диаграмма p-i-n диода при обратном смещении представлена на рис. 6.8. Около 90% излучения поглощается непосредственно в i-области.
Рис. 5.8. Энергетическая диаграмма фотодиода с р-i-n структурой
Рис. 5.9. Фотодиод с гетероструктурой
Повышение быстродействия обусловлено тем, что процесс диффузии через базу, характерный для обычной структуры, в р-i-n структуре заменяется дрейфом носителей через i-область в сильном электрическом поле.
Время дрейфа дырок tдр через i-область шириной h составляет
tдр = h/vр = h/mрЕ, (5.29)
где Е – напряженность электрического поля в i-области;
mр – подвижность дырок;
vр=mрЕ- скорость дрейфа дырок в электрическом поле.
При напряженности электрического поля примерно 2×106 В/м достигается максимальная скорость дрейфа носителей v = (6¸8)×104 м/с.
В этом случае при h = 10-2 см получим tдр » (10-9¸10-19) с. Диапазон частот для этого диода Df»109Гц. Это быстродействующие кремниевые фотодиоды.
Отношение времени дрейфа носителей через i – область в p-i-n фотодиоде к времени диффузии через базу в p-n фотодиоде можно представить в виде
≈ (5.30)
Так как Dp/mp=KT/c=jT, следовательно, уже начиная с Uобр=(0,1¸0,2) В p-i-n фотодиоды имеют преимущество в быстродействии.
Таким образом, фотодиоды с p-i-n структурой имеют следующие основные достоинства:
- сочетание высокой чувствительности (на длине волны l»0,9 мкм практически достигнут теоретический предел чувствительности Sф»0,7 А/Вт) и высокого быстродействия;
- возможность обеспечения высокой чувствительности в длинноволновой области спектра при увеличении ширины i-области;
- малая барьерная емкость;
- малые рабочие напряжения в фотодиодном режиме, что обеспечивает электрическую совместимость p-i-n фотодиодов с интегральными микросхемами.
К недостаткам p-i-n структуры следует отнести требование высокой чистоты i-базы и плохую технологическую совместимость с тонкими легированными слоями интегральных схем.
Параметры отечественных p-i-n диодов приведены в таблице 5.1
Таблица 5.1 – Параметры отечественных p – i – n фотодиодов
№ п/п | Наименование | l, мкм | Im, нА | S, А/вт | tб, нс | СФ, пФ | Uраб, В |
ФД-252 | 0,85 | 0,35 | |||||
ФД252-01А | 0,85 | 0,35 | |||||
ФД252-01Б0 | 0,85 | 0,35 | |||||
ФД324 | 0,85 | 0,4 | |||||
ФД500 | 0,83 | 0,7 | - | ||||
ФД40А | 1,3 | 0,7 | - | 0,3 | - | ||
ФД70А | 1,3 | 0,7 | - | 0,7 | - | ||
ФД250А | 1,3 | 0,7 | - | - | |||
ФД500А | 1,3 | 0,7 | - | - | |||
ФД40Б | 1,55 | 0,8 | - | 0,3 | - | ||
ФД70А | 1,55 | 0,8 | - | 0,7 | - | ||
ФД25-Б | 1,55 | 0,8 | - | - | |||
ФД500Б | 1,55 | 0,8 | 0,04 | - | |||
ФДМ-40 | 1,55 | 0,8 | 0,075 | - | - | ||
ФДМ-70 | 1,55 | 0,8 | - | - | - | ||
ФДМ-70А | 1,3 | 0,5-0,6 | - | 1,2 | - | ||
ФДМ-70Б | 1,55 | 0,5-0,6 | 1,2 | - |
Фотодиоды Шоттки
Упрощенная структура фотодиода с барьером Шоттки показана на рис. 5.10.
Рис. 5.10. Фотодиод с барьером Шоттки:
а) структура; б) распределение поля в структуре
На подложке сильно легированного кремния n+ выращивается тонкая эпитаксиальная пленка высокоомного полупроводника n-типа. Затем на тщательно очищенную поверхность материала n-типа напыляют тонкую (»0,1 мкм) полупрозрачную пленку, а поверх неё – антиотражающее покрытие.
Структура и свойства контакта металл-полупроводник зависят от взаимного расположения уровней Ферми в металле (UFM) и полупроводнике (UFпп). На рис. 5.11 показаны зонные диаграммы контакта металл-полупроводник для случая UFM< UFпп.
Рис. 5.11. Зонные диаграммы контакта металл – полупроводник
При образовании контакта электроны переходят из полупроводника n-типа в металл. При этом вблизи границы металл-полупроводник создается объемный заряд положительных ионов доноров и, следовательно, электрическое поле.
Энергетические уровни вблизи поверхности полупроводника искривляются. Степень искривления уровней характеризуется поверхностным потенциалом Uпов. Его можно определить разностью потенциалов между объемом и поверхностью полупроводника. При отсутствии внешнего напряжения и оптического излучения переход находится в равновесном состоянии. Это состояние характеризуется равновесным поверхностным потенциалом Uпов о. Потенциальный барьер в приконтактном слое называют барьером Шоттки. Его высота Uпово является аналогом внутреннего потенциального барьера в p-n – переходе. В зависимости от полярности приложенного внешнего напряжения высота барьера Шоттки и сопротивление приконтактного слоя будут меняться.
При приложении прямого напряжения Uпр (положительный полюс к металлу, отрицательный – к полупроводнику n-типа) потенциальный барьер понижается, приконтактный слой обогащается основными носителями - электронами и сопротивление перехода металл-полупроводник будет меньше равновесного. Если изменить полярность внешнего напряжения, т.е. приложить к переходу обратное напряжение Uобр (как показано на рис. 5.10, а), то потенциальный барьер в контакте повышается. В этом случае приконтактный слой еще сильнее обедняется основными носителями – электронами и повышается его сопротивление по сравнению с равновесным состоянием. Таким образом, контакт металл-полупроводник обладает выпрямляющими свойствами и может быть основой приборов, называемых диодами Шоттки.
Отличительной особенностью диодов Шоттки по сравнению с диодами на р-n – переходе является отсутствие инжекции неосновных носителей. Диоды Шоттки используют движение основных носителей. В них отсутствуют медленные процессы, связанные с накоплением и рассасыванием неосновных носителей в базе диода.
В фотодиодах с барьером Шоттки имеется возможность поглощения квантов излучения в металле контакта (если энергия квантов излучения меньше ширины запрещенной зоны). Если энергия кванта излучения больше высоты потенциального барьера, то возбужденные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциальный барьер. В результате длинноволновая граница спектральной характеристики фотодиода сдвигается в сторону более длинных волн.
В фотодиоде Шоттки с ростом энергии квантов область поглощения излучения сдвигается в слой объемного заряда, где существует поле, разделяющее фотоносители. В фотодиоде с р-n – переходом при малой глубине поглощения фототок практически равен нулю. Следовательно, коротковолновая граница спектральной характеристики фотодиода Шоттки расположена при более коротких волнах.
Перспективность применения фотодиодов Шоттки в оптоэлектронике объясняется их следующими достоинствами:
· малым сопротивлением базы фотодиода. Поэтому постоянная времени барьерной емкости Cбар rБ у фотодиодов Шоттки примерно равна 10-12 с, а инерционность определяется только временем пролета фотоносителей через область объемного заряда (10-10...10-11) с;
· сочетание высокого быстродействия и высокой чувствительности (Sф=0,5 А/Вт);
· простотой создания выпрямляющих фоточувствительных структур на самых разнообразных металлах и полупроводниках и, следовательно, возможностью управления высотой потенциального барьера Шоттки. В частности, кремневые фотодиоды с барьером Шоттки работают при l=0,63 мкм, имеют быстродействие 10-10 с и фоточувствительность S0=0,5 А/Вт;
· хорошей совместимостью с оптическими интегральными микросхемами.
Для продвижения в длинноволновую область повышают удельное сопротивление базовой области и одновременно увеличивают ее толщину, т.е. переходят к структуре m-i-n+, где m- означает «металл».
Дата добавления: 2017-05-02; просмотров: 2526;