Принцип работы фотоприемных приборов
Работа фотоприемников основана на использовании внутреннего фотоэффекта в твердых телах. Поглощаемые полупроводником кванты освобождают носители заряда либо атомов решетки, либо атомов примеси. Поскольку для каждого из этих переходов требуется некоторая минимальная энергия, характерная для данного материала, каждый тип фотоприемника имеет определенную длинноволновую границу lгр определяемую формулой
l = 1,24 / (E2 – E1), (5.1)
где l [мкм]; E2 ,E1 [эВ].
Разность E2 – E1 – энергетический зазор при переходе зона-зона или примесный уровень-зона (в соответствии с рис. 5.1, а).
Рис. 5.1. Принцип действия фотоприемного прибора: а) энергетическая диаграмма; б) процессы в p-n - переходе; в) распределение электрического поля в структуре.
Рассмотрим принцип действия фотоприемного прибора на основе p-n - перехода (в соответствии с рис. 6.1, б). При поглощении фотона в полупроводнике образуются пары электрон-дырка. При их разделении возникает фототок, причем электроны перемещаются в n-области, а дырки – к p-области.
Вероятность разделения созданной фотоном пары электрон-дырка выше в том случае, если эта пара, образуется в области полупроводника, находящейся под воздействием электрического поля. Альтернативой разделения является обычная рекомбинация пары электрон-дырка, при которой не происходит какого-либо смещения заряда и, таким образом, не вносится вклад в фототок. Электрическое поле распределяется в кристалле полупроводникового прибора неравномерно. В диффузионных областях p-типа и n-типа поле намного слабее, чем в области между ними, известной под названием обедненного слоя. Для эффективной работы фотоприемника необходимо, чтобы наибольшее число фотонов поглощалось в обедненном слое, т.е. фотоны не должны поглощаться; пока не достигнут обедненного слоя, и не должны поглощаться, пока не вышли за пределы обедненного слоя.
Глубина проникновения фотона в полупроводник до поглощения зависит от его длины волны. Фотоны с малой длиной волны поглощаются вблизи поверхности, а фотоны с большей длиной волны могут проникать через всю толщу кристалла. Поэтому для обеспечения широкой спектральной характеристики необходимо, чтобы кристалл фотодиода имел очень тонкий p-слой, допускающий проникновение фотонов с малой длиной волны, и толстый обедненный слой для получения максимального фототока от длинноволновых фотонов.
Толщина обедненной области зависит от удельного сопротивления полупроводника в этой области и от обратного смещения. Обедненный слой существует и в том случае, когда обратное смещение не приложено. Это обусловлено наличием «встроенного» поля, которое образуется вследствие диффузии через переход неосновных носителей. Напряжение обратного смещения расширяет обедненную область.
Размеры обедненного слоя при любом напряжении больше в тех приборах, у которых вблизи p-n - перехода материал имеет более высокое удельное сопротивление. В то же время на обеих противоположных поверхностях кристалла для изготовления омических контактов требуется низкое удельное сопротивление. Фотоприемники с p-n - переходом, например, солнечные батареи, изготавливают методом диффузии примеси р-типа в материал n-типа с низким удельным сопротивлением. Малая толщина диффузионного p-слоя обеспечивает высокую чувствительность к фотонам с малой длиной волны, но, чтобы расширить обедненную область для создания высокой чувствительности к фотонам с большой длиной волны, требуется относительно высокое обратное смещение. Глубокая диффузия примеси р-типа ухудшает чувствительность к излучению с малой длиной волны, но благодаря созданию «плавного» перехода дает возможность уменьшить напряжение смещения, необходимой для обеспечения хорошей чувствительности к излучению большой длиной волны. Для повышения чувствительности к фотонам с малой и большой длинами волн при низком обратном смещении между р и n областями используют слой с высоким удельным сопротивлением, получивший название i-слоя. Фотоприемники имеющие i-слой получили название р-i-n структур. Такой прибор имеет тонкую диффузионную p-область (на которую падает поток излучения) и более толстую диффузионную n-область с другой стороны высокоомной кремниевой пластины. Обычно в p-i-n фотоприемниках i-слой имеет такое высоко удельное сопротивление, что даже при нулевом смещении обедненный слой распространяется от p-слоя примерно на половину глубины i-слой. При обратном смещении до 5 В обеднение распространяется вплоть до n-слоя и наблюдается эффект «смыкания». Поскольку пробивное напряжение превышает 200 В, часто желательно устанавливать режим работы при обратных напряжениях, превышающих напряжение смыкания, чтобы поддерживать полное обеднение i – слоя даже при высоких уровнях потока излучения. Это обеспечивает наилучшую линейность и быстродействие.
Качество фотоприемника может быть оценено введением параметра квантовая эффективность. В идеальном случае каждый фотон должен генерировать один электрон фототока. Квантовая эффективность h, таким образом, измеряется как число электронов на фотон.
На практике часто используют в качестве основного рабочего параметра фоточувствительность Sф (А/Вт)
, (5.2)
где l – длина волны фотона, мкм;
Iф – фототок, А;
Фе – поток излучения, Вт.
Дата добавления: 2017-05-02; просмотров: 2235;