Принцип работы транзистора.

Рис. 3.

Из рисунка видно, что транзистор представляет по существу два полупроводниковых диода. При замыкании ключа SA₁ и разомкнутом SA₂ к эмиттерному переходу подключается источник E₁ в прямом (пропускном) направлении, а при замыкании ключа SA₂ к коллекторному переходу подключается источник E₂ в обратном направлении обычно E₂>>E₁.

При подключении источников E₁ и E₂ изменяются потенциальные барьерыp-n переходов. Потенциальный барьер эмиттера понижается, а коллекторного повышается. Ток проходящий через эмиттер получил название .

Поскольку концентрация носителей заряда в базе меньше чем в эмиттере, то неосновные носители зарядов в базе полностью дойдут до коллектора.

Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжекции

Подойдя к коллектору, дырки начинают испытывать действие электрического поля коллекторного перехода.

В результате экстракции дырки быстро втягиваются в коллектор, создавая ток коллектора.

Принимая во внимание малую степень рекомбинации дырок с электронами базы, можно считать, что .

Те дырки которые все же рекомбинируют с электронами образуют ток базы, поэтому .

На усилительные свойства тр-ра влияет рекомбинация носителей в базе, которая определяется через коэффициент переноса носителей в базе

;

Одним из основных параметров тр-ра является коэффициент передачи токаэмиттера

;

;

Следует уточнить, что полный ток коллектора равен т.к.

, .