а – квадратным; б – прямоугольным; в – круглым
Рисунок 3.22 – Схема проведения измерений геометрических параметров пазов полученных в заготовке трубчатыми ЭИ
Существует несколько методов измерения высоты микроэлементов:
1) с помощью оптического микрометра;
2) определение высоты микроэлемента по его тени;
3) с помощью профилометра.
Измерение высоты микроэлемента с помощью оптического микрометра происходит при наведении прибора на участок поверхности заготовки и на участок сформированного микроэлемента (рисунок 2.23).
Высота сформированного микроэлемента определяется разницей между измеряемыми высотами h = h1 - h2.
Микроскоп; 2 – образец, на котором производятся измерения
Рисунок 2.23 – Схема измерения высоты микроэлементов с помощью оптического микрометра
Определение высоты микроэлемента по его тени происходит при направлении источника света под 45° к горизонтальной поверхности. При этом длина тени “b” равна высоте микроэлемента “h” (рисунок 2.24).
Источник света; 2 – образец, на котором производятся измерения
Рисунок 2.24 – Схема измерения высоты микроэлементов с помощью тени
При измерении высоты с помощью профилометра имеются ограничения по ширине измеряемого микроэлемента из-за геометрии алмазной иглы, которой оборудован датчик для контроля неровностей поверхности.
Выводы по главе 3
Разработана комплексная методика проведения экспериментальных исследований процессов и схем микроформообразования, включающая методики проектирования и изготовления:
- трубчатых ЭИ для МЭЭО, изготовление которых возможно осуществлять формированием слоя меди на оправке и механическим снятием нанесенного медного слоя;
- трубчатых ЭИ для МЭЭО, формированием слоя меди на химически растворимой оправке и последующим ее полным вытравливанием;
- ЭИ для МЭЭО, формированием слоя меди на химически растворимой оправке и частичным вытравливанием оправки.
- трубчатых ЭИ со спиралевидным пазом на поверхности при этом рассмотрены параметры их конструктивных элементов;
- ЭИ с микроэлементами на рабочей части заданной формы. Рассмотрены варианты формирования охватывающих микроэлементов по субтрактивной технологии и охватываемых (выступающих микроэлементов по аддитивной технологии);
- тонкостенных (толщиной менее 200 мкм) ЭИ для микроэлектроэрозионной трепанации и для формирования микропазов заданной формы.
- сложнофасонный ЭИ с объемными микроэлементами на рабочей части;
- МЭ на поверхности детали методом электроэрозионного микроформообразования;
- методика измерений ЭИ и получаемых с их помощью МЭ на поверхностях деталей.
Дата добавления: 2022-05-27; просмотров: 106;