Стабилизаторы с непрерывным регулированием
Существенным недостатком стабилизаторов с непрерывным регулированием являются их низкая экономичность, что ведет к увеличению габаритов.
В импульсных стабилизаторах регулирующий транзистор работает в ключевом режиме, который характеризуется быстрым переходом рабочей точки из области отсечки в область насыщения. При этом мощность, рассеиваемая на регулируемом элементе во много раз меньше, чем при его работе в линейном режиме. Повышение КПД стабилизатора при ключевом режиме работы позволяет уменьшить габариты.
В общем виде структурная схема импульсных стабилизаторов имеет следующий вид:
Рис.20
СФ - сглаживающий фильтр принципиально необходим, так как ток в нагрузку поступает импульсно.
ИФ – импульсный элемент служит для управления работой регулирующего элемента.
Наибольшее применение получили два типа импульсных стабилизаторов: стабилизатор с ШИМ и релейные или двухпозиционные стабилизаторы.
В стабилизаторах с ШИМ регулирующий элемент переключается с постоянной частотой, по времени открытого и закрытого состояния силового транзистора изменяется импульсным элементом таким образом, чтобы выходное напряжение оставалось неизменным. Т.е. изменяется скважность Q=T/tu , оставляя неизменным значение постоянной составляющей Uo выходного напряжения.
В релейных стабилизаторах в качестве импульсного элемента применяется триггер, который управляет процессом переключения регулирующего транзистора. При подаче постоянного напряжения на вход стабилизатора в первый момент регулирования транзистор открыт и напряжение на входе стабилизатора увеличится. Соответственно растет сигнал на входе схемы сравнения. При определенной величине выходного напряжения величина сигнала на выходе схем сравнения станет достаточной для срабатывания триггера, последний срабатывает и закрывает регулирующий элемент. Напряжение на входе стабилизатора начинает уменьшаться, что приведет к уменьшению сигнала (нижний порог срабатывания) триггер вновь срабатывает и откроет регулирующий транзистор. Напряжение на выходе стабилизатора начинает увеличиваться. Таким образом будет повторяться. Изменение входного напряжения или тока нагрузки стабилизатора приведет изменению продолжительности открытого или закрытого состояния регулирующего транзистора и к изменению частоты его переключения, а среднее значение выходного напряжения будет поддерживаться неизменным с определенной степенью точности.
Наиболее значительный узел изучаемой дисциплины – это силовая часть импульсного стабилитрона, которая независимо от типа содержит в себе регулируемый транзистор VT11, дроссель L1, емкость С1 и коммутирующий диод VD1, включены по следующей схеме:
Рис.21
Рассмотрим процессы, происходящие в регулирующем транзисторе и коммутирующем диоде токов и напряжений, представленных на рисунке.
В момент t1 в цепь базы закрытого транзистора VT11 подается импульс тока, достаточный для насыщения цепи коллектора. Рабочая точка перемещается из области отсечки в область насыщения за время tin, которое зависит от величины тока базы и частотных свойств транзистора.
Рис. 22
Исходя из постоянного тока в дросселе, ток диода VД1 уменьшается, напряжение на диоде мало а к транзистору приложено напряжение равное входному Uвх. Из-за конечного времени запирания диода ток диода некоторое время имеет обратный знак, на токе коллектора появляется выброс.
В момент времени t2коллекторный ток транзистора становится равным Iк11 min= IД2 min.Напряжение UК11 уменьшается до напряжения насыщения, а ток в диоде Д1 падает до 0. в интервале времени t2 – t3ток коллектора возрастает, ток диода равен обратному току а напряжение на диоде равно входному.
В момент t3 на базу транзистора подается запаздывающее напряжение, ток базы меняет свое напряжение, а ток коллектора начинает уменьшаться с задержкой на время рассасывания избыточной концентрации не основных носителей в базе.
Как только транзистор начинает закрываться, ЭДС самоиндукции дросселя меняет знак и диод включается. Напряжение на диоде падает до 0. Переход транзистора из насыщенного состояния в режиме отсечки происходит за время величина которого зависит от частотных свойств транзистора и от величины тока базы ∆Iбз .
Величина ∆Iбзв основном зависит от внутреннего сопротивления запирающего источника тока, так как в интервале рассасывания эмиттерный переход Т11представляет собой весьма небольшое сопротивление.
В момент времени t4ток iк11уменьшается до минимальной величины, а ток iД2 увеличивается до IД2 max= Iк11 max.
В интервале t4- t5ток диода уменьшается. Напряжение Uк11 = Uвх. Начиная с момента времени t5, процесс повторяется.
Очень важным параметром импульсного стабилитрона является мощность, рассеиваемая регулирующим транзистором. Величина этой мощности определяет КПД всего устройства и в значительной степени влияет на его габариты.
Она состоит из трех: мощности в режиме отсечки Рко, в режиме насыщения Ркни в режиме переключения Ркп
Рко = Uо Iко(1-γ)
Ркн = Uкэ нас Iкmaxγ
Ркп= UоIкmax(t in + t off) fo/2
Рк = Рко+ Ркн+ Ркп
Где Iко– начальный коллекторный ток транзистора;
Uкэ нас– напряжение коллектор-эмиттер транзистора в режиме насыщения;
Iкmax– максимальный коллекторный ток;
tin– время включения;
toff– время выключения;
fo– частота переключения;
γ– относительное время открытого состояния транзистора, γ= Ти / То
При малых Iкосуммарная мощность в основном определяется Ркни Ркп.
В стабилизаторах напряжения γ= Uвых / Uочем больше Uотем меньше γи меньше Ркн.
Составляющая Ркпзависит от частотных свойств транзистора (tin+ toff) и частоту переключений fo.
На входе фильтра импульсного стабилизатора напряжения имеем форму прямоугольных импульсов. Амплитуда пульсации выходного напряжения максимальна при γ= 0.5.
В качестве импульсных элементов стабилизаторов напряжения используются триггеры, мультивибраторы и т.д.
Рассмотрим схему с триггером на туннельном диоде.
Рис 23
Схема сравнения аналогична схеме в стабилизаторе с непрерывным регулированием.
Положим в момент tо напряжение на входе стабилизатора уменьшится до величины при которой срабатывает триггер. Ток коллектора ТУ скачком уменьшается до нуля.
Закрываются транзисторы Т3 и Т2 и транзисторы Т12 и Т11 открываются, а емкость Сзапзаряжается через сопротивление RZ1. напряжение на входе фильтра скачком возрастает до Uвх. Диод VD2закрывается. Ток дросселе и транзисторе Т11 начинает увеличиваться. Напряжение на выходе стабилизатора определяется некоторым временем перехода, пока ток в дросселе не сравняется с током нагрузки, а затем начинает расти. В момент t1 напряжение на базе Тудостигает такой величины, при которой вновь срабатывает триггер. Ток коллектора Т4 скачком достигает максимума. Транзисторы Т2 и Т3 открываются, подключая между базой и эмиттером транзисторов Т11 и Т12 емкость Сзап. Т11 и Т12 закрываются. Дроссель начинает разряжаться через VD2 на нагрузку, поэтому напряжение на входе стабилизаторы еще некоторое время увеличивается пока ток в дросселе больше тока нагрузки, а затем начинает уменьшатся. Приходим к первоначальному состоянию, когда открылся регулирующий транзистор, так процесс повторяется.
При изменение входного напряжения или тока нагрузки изменяется скважность импульсов тока регулирующих транзисторов, а среднее значение выходного напряжения остается неизменным.
Коэффициент затухания фильтра повышают, увеличив индуктивность дросселя при соответствующем уменьшении емкости (из условия постоянства резонанса частот). Однако это приводит к значительному увеличению габаритов дросселя.
Повышение частоты колебании без изменения параметров фильтра, порогов срабатывания триггера и коэффициента усиления усиление может быть достигнуто введением дополнительных ускоряющих элементов, которые значительно снижают амплитуду пульсации.
Подавление пульсации, которое особенно затруднено при большой выходной мощности более эффективно осуществляется в непрерывно – импульсных стабилизаторах.
Рис 24
Импульсный стабилизатор управляется напряжением, снимаемым с Ru, которое изменяется пропорционально току непрерывного стабилизирования.
При подключении входного напряжения, ток через РТл увеличивается до достижения порога срабатывания триггера, который включает РТИ, ток через дроссель начинает увеличиваться, а через РТЛ уменьшаться.
Опять триггер закрывается и начинает расти ток через РТЛ, однако колебания тока через RUограничены порогами срабатывания триггера. Элементы схемы выбраны таким образом, чтобы основная мощность проходила через РТИ, а РТЛ в основном уменьшает пульсации выходного напряжения.
Могут быть и другие варианты построения комбинированных стабилизаторов напряжения. Например, с регулированием по переменному току, а затем по постоянному.
Преобразователи постоянного напряжения.
Часто при питании электронных устройств ИП являются низковольтными, а для питания цепей потребления требуются значительное напряжение. При этом прибегают к преобразованию напряжения. Для этого используют инвенторы и конвенторы. Использую электромагнитные преобразователи, вибропреобразователи и статические преобразователи на п/п приборах.
Электромагнитные преобразователи вырабатывают напряжение в синусоидной форме, в то время как полупроводниковые и вибропреобразователи — напряжения прямоугольной формы. В настоящее время используются статические преобразователи с выходным напряжением по форме близким к синусоидной. Недостаток электромагнитных преобразователей большие габариты и масса. Вибропреобразователи маломощны и малонадежны. Поэтому наибольшее применение находят полупроводниковые преобразователи с малыми габаритами и массой, высоким КПД и эксплуатационной надежностью.
Построение преобразователей на тиристорах и транзисторах следует связывать с величиной питающих напряжений, требуемой мощности, характером изменяемой нагрузки.
Транзисторные преобразователи напряжения.
Они подразделяются по способу возбуждения на два типа: с самовозбуждением и преобразователи с усилением мощности. Транзисторы могут включаться по схеме ОЭ, ОК и ОБ, но наиболее широко используются включение с ОЭ, т. к. в этом случае реализуется максимальное усиление транзисторов по мощности и наиболее просто достигаются условия самовозбуждения. Преобразователи с самовозбуждением выполняются на мощности до нескольких десятков ватт на однотактных и двухтактных схемах.
Простейшая схема однотактного преобразователя представляет собой релаксационный генератор с трапецеидальной обратной связью.
Рис. 25.
При подключении напряжения питания через резонатор RCMна базу транзистора подается отпирающий потенциал. Транзистор открывается и через первичную обмотку WKтранзистора протекает ток, который вызывает нарастание магнитного потока в магнитопроводке транзистора. Появляющееся при этом напряжение на обмотке WKтрансформируется в общую положительную обратную связь WB, полярность подключения напряжения такова, что она способствует полному открытию транзистора. Когда ток коллектора достигает своего максимального значения IK=IBh21Э,нарастание минимального потока прекратится, полярность напряжения на обмотках трансформатора изменится на обратную и происходит лавинообразный процесс запирания транзистора. Напряжение на вторичной обмотке транзистора имеет прямоугольную форму.
Полярность подключения силового диода выпрямителя во вторичной обмотке транзистора определяет способ передачи энергии в нагрузку. Диод открывается когда закрывается транзистор, заряжается конденсатор, который поддерживает постоянство тока в нагрузке. При прямом включении диода передача энергии источника напряжения Upв нагрузку Rnпроисходит в период времени tи, когда транзистор и силовой диод VD1 открыты. В дросселе запасается энергия W=0,5LфI2ntи. Конденсатор сглаживающего фильтра Сф при этом заряжается выпрямленным напряжением до Uн.
В течении паузы tп, когда транзистор закрыт цепь тока Iнзамыкается через дроссель Lф и блокирующий диод VD2, как и в импульсном стабилизаторе с последовательным регулированием.
В однотактных преобразовательных трансформаторах работает с подмагничиванием, для борьбы с которым можно применить сердечник с зазором. Однако он не подходит при использовании тор. транзисторов. В нашем случае используется блокировочный конденсатор, который в течении паузы tпразряжается через обмотку W1, перемагничивая сердечник током разряда.
Ёмкость Сбл. Выбирается из условия, чтобы при максимальном коэффициенте γmaxдлительность паузы tпбыла не меньше четверти перехода колебаний контура LiCбл.
Такой преобразователь с обратным включением диода обеспечивает развязку и защиту входного напряжения от помех по входным шинам питания.
Параметры преобразователя определяются по следующим формулам:
Uн=Uп(Iкт/2Iн-W1/W2)
tu=IктL1/Uп
t=IКТL2W1/UнW2
γ=FпIктL1/Uп=ty/(tu+tп)
Лучшие массогабаритные показатели имеет двухтактный преобразователь с насыщающимся трансформатором.
Трансформатор выполняется на магнитопроводе с прямоугольной петлёй гистерезиса. Здесь так же используются положения ОС. Генератор работает следующим образом. При включении напряжения питания Uпиз-за не идентичности параметров одни из транзисторов, например, VT1, начинают открываться и его коллекторный ток увеличиваться, обмотки обратной связи Wbподключены так, что поведение в них ЭДС полностью открывает транзистор WT1 и закрывает транзистор WT2.
Переключение параметров начинается в момент насыщения транзистора. Вследствие этого поведение во всех областях трансформатора уменьшается до нуля, а затем уменьшает свою полярность. Теперь на базу ранее открытого транзистора WT1 подается отрицательное напряжение, а на базу ранее закрытого транзистора WT2 поступает положительное напряжение и он начинает открываться. Этот регенеративный процесс формирования фронта выходного напряжения протекает очень быстро. В данном процессе в схеме частое переключение зависит от значения напряжения питания, параметров трансформатора, и транзисторов и рассчитывается по формуле:
fп=(Uп-Uкэнас)104/BsWкScKc
Рисунок 26.
Такой режим более экономичен, чем при переключении за счет предельного тока коллектора и работа преобразователей более устойчива.
Такие преобразователи используются как задающие генераторы для усиления мощности и как автономные маломощные источники электропитания.
Основные достоинства:
1. Простора схемы.
2. Нечувствительность к коротким замыканиям в цепи нагрузки.
Недостаток преобразователей с насыщающимся сердечником является наличие выбросов коллекторного тока в момент переключения транзисторов, что увеличивает потери в преобразователе.
Напряжение на закрытом транзисторе может достигать значений:
Uкэт=(2,2-2,24)Uпmax.
два напряжения это сумма Uп+ЭДС на неработающей обмотке, кроме того выбросы напряжений во время переключений. Для уменьшения последних в схемы иногда включают шунтирующие диоды, поэтому такие схемы используются при сравнительно низких напряжениях источников питания Uп=25-30Вольт. При преобразовании больших мощностей, наибольшее распространение получили преобразователи с использованием усилителя мощности. В качестве задающего генератора можно использовать преобразователь с самовозбуждением. Применение таких преобразователей целесообразно если необходимо обеспечить постоянство частоты и напряжения на выходе, а так же неизменность форм кривой переменного напряжения при изменении нагрузки преобразователя в случае высокого входного напряжения применяются мостовые усилители мощности. Положен в первый полупериод одновременно работают транзисторы Т1 и Т4. Во второй Т2, Т3. Напряжение прикладывается к первичной обмотке транзистора, причем её полярность меняется каждый полупериод.
Рис 27.
Напряжение на закрытом транзисторе равно напряжению исходного питания. Входной транзистор работает в насыщенном режиме, выполняется он из материала с непрямоугольной петлёй гистерезиса.
Преобразователи на тиристорах.
Тиристоры, в отличии от транзисторов, имеют одностороннее управление. Для запирания тиристоров в схемах преобразователей используются реактивные элементы, в основном в виде коммутирующих конденсаторов.
Рис 28.
При отпирании первого тиристора ёмкость заряжается до напряжения 2Uп. При отключении второго тиристора напряжение конденсатора прикладывается в обратном напряжении к первому тиристору, под действием его он запирается. Конденсатор перезаряжается, и напряжение на его обкладках и на первичной обмотке транзистор меняет знак (потенциалы показаны на схеме в скобках). В следующий полупериод вновь отпирается тиристор Т1 и процесс повторяется.
Для обеспечения запирания тиристоров необходимо, чтобы энергия коммутирующего конденсатора была достаточна для того, чтобы в процессе перезаряда обратное напряжение на тиристорах падало достаточно медленно и успело бы обеспечить восстановление их запирающих свойств.
Недостатком такого инвертора является сильная зависимость выходного напряжения от тока нагрузки.
Рис 29.
Для уменьшения влияния характера и величины нагрузки на форму и величину выходного напряжения применяют схемы с обратными диодами, которые необходимы для возрастания реактивной энергии, накопленной в индуктивной нагрузке и реактивных коммутированных элементах в источник питания преобразователя.
Дата добавления: 2021-01-11; просмотров: 437;