Температурные свойства p-n-перехода
Уравнение (1.1) содержит температурно-зависимые параметры - I0 и j t.
I0 - тепловой ток, или ток насыщения. Для идеального перехода I0 определяет величину обратного тока, а в реальных переходах I0 намного меньше обратного тока. Ток Iосильно зависит от температуры (рис. 1.1): даже незначительные изменения температуры приводят к изменению Iо на
несколько порядков.
Максимально допустимое увеличение обратного тока диода определяет максимально допустимую температуру для него, которая составляет
80-100 оС для германиевых диодов и 150-200 оС для кремниевых.
Минимально допустимая температура для диодов обычно лежит в пределах от 60 до -70оС.
У германиевых переходов ток I0 на шесть порядков больше, чем у кремниевых, поэтому при одинаковых условиях у них прямые напряжения на
0,35 В меньше и в зависимости от режима составляют 0,25-0,15 В (напряжение отпирания у германиевых переходов при повышении температуры вырождается почти в "0").
На рис. 1.1 прямая ветвь характеристики, снятая при 70 оС, сместилась влево: с повышением температуры вступает в силу собственная проводимость полупроводника, число носителей увеличивается, так как усиливается процесс термогенерации. Обратная же ветвь ВАХ (рис. 1.1) смещается вправо, то есть с повышением температуры до +70 оС электрический пробой в переходе наступает раньше, чем при температуре +20 оС. При увеличении обратного напряжения к тепловому току добавляется ток термогенерации. В сумме эти два тока образуют через обратносмещенный переход обратный ток Iобр. При изменении температуры новое значение обратного тока можно оп-
ределить из соотношения
(2.9)
где Iобр.20 оС - значение обратного тока при температуре не выше 27 оС (берется из справочной литературы);
А - коэффициент материала, из которого выполнен полупроводниковый прибор (Агермания = 2, Акремния = 2,5);
j t - температурный потенциал, который при комнатной температуре равен 0,025 В, а при другой температуре j t можно определить по формуле
(2.10)
Таким образом, при увеличении температуры обратный ток насыщения увеличивается примерно в два раза у германиевых и в два с половиной раза у кремниевых диодов (1.5).
Дата добавления: 2020-10-14; просмотров: 307;