Емкости p-n перехода

Барьерная емкость

p n

d_o

_do – толщина перехода

В p-n переходе имеется разность концентраций: в p-области много дырок, а в n-области их мало, в n-области много электронов, а в р-области их мало. Наличие разности концентраций приводит к диффузии: дырки из р-области переходят в n-область, в обратном направлении движутся электроны. В результате диффузии в р-области появляются избыточные (не скомпенсированные) отрицательные ионы примеси, и она заряжается отрицательно. В n-области появляются избыточные положительные ионы примеси, и она заряжается положительно. Возникает разность потенциалов – потенциальный барьер.

Данный переход можно рассматривать, как плоский конденсатор, обкладками которого являются p-и n-области, а диэлектриком – приконтактная область,имеющая повышенное сопротивление. Емкость такого конденсатора называется барьерной, т.к. она обусловлена наличием потенциального барьера.

–q +q

В равновесном состоянии перехода, т.е. когда Е_ВНЕШН=0, барьерная емкость зависит от площади p-n перехода, диэлектрической проницаемости полупроводника и толщины запирающего слоя:

, где

- относительная и абсолютная диэлектрическая проницаемость.

При подаче обратного напряжения толщина перехода возрастает (обкладки конденсатора как бы раздвигаются), а, следовательно, емкость этого конденсатора уменьшается:

, где

- барьерная емкость перехода при наличии обратного напряжения;

- барьерная емкость перехода при отсутствии внешнего напряжения;

- потенциальный барьер перехода при отсутствии внешнего напряжения;

U_ОБР - обратное напряжение, подаваемое на переход.

Диффузионная емкость

При прямом включении перехода возникает еще одна емкость – диффузионная.

Прямое напряжение, подаваемое на переход, обеспечивает более интенсивный процесс диффузии основных носителей заряда в соседние области. Это приводит к тому, что пришедшие в большом количестве в соседние области заряды не успевают прорекомбинировать с зарядами противоположного знака и накапливаются, образуя объемные заряды. Чем больше прямое напряжение, тем больше величина этих объемных зарядов.

p n

ОНЗ + +

_ _ Ө ОНЗ + +

_ _

Изменение объемного заряда в зависимости от приложенного прямого напряжения характеризует емкость, называемая диффузионной (т.к. обусловлена диффузией ОНЗ) и определяемая формулой:

или , где

- изменение прямого напряжения;

- изменение объемного заряда.