Цепи питания транзисторных ГВВ.

Цепи питания транзисторных ГВВ значительно проще, чем ламповых. Во-первых, для транзисторов требуется один (в редких случаях – два) источник питания. Во-вторых, в многокаскадных передатчиках питание осуществляется от одного источника, напряжение которого определяется типом транзистора оконечного каскада и режимом его работы. Напряжение питания транзисторов предоконечного и маломощных предварительных каскадов подается либо непосредственно от этого же источника, либо через гасящие сопротивления с применением стабилитронов. В-третьих, благодаря правым статическим характеристикам схем биполярных и МДП полевых транзисторов достаточно обеспечить нулевое смещение между базой и эммитером или затвором и истоком, чтобы при отсутствии ВЧ возбуждения транзистор был закрыт и постоянные составляющие токов были равны нулю, а при подаче напряжения возбуждения обеспечивался угол отсечки коллекторного (стокового) тока, близкий к оптимальному 90⁰.

Цепи питания в предварительных маломощных каскадах выполняются так же, как в обычных малосигнальных усилителях, и поэтому их построение не рассматривается. В относительно мощных каскадах применяются биполярные и МДП транзисторы, у которых с целью уменьшения индуктивности общего вывода по ВЧ этот вывод либо непосредственно соединен с корпусом, либо его соединяют с корпусом прибора и всего устройства через соответствующую емкость. Как правило, во входных и выходных цепях используют параллельное питание, т.к. при низких входных и нагрузочных сопротивлениях влияние паразитных емкостей блокировочных дросселей оказывается незначительным. Кроме того, во многих случаях из схемы удается исключить дроссели. Рассмотрим цепи питания с биполярными и МДП транзисторами (рисунок 1а,б).

А) б)

Рисунок 1.Схемы питания транзистора с общим выводом на корпусе.

На рисунке 1 показаны схемы цепей питания, обеспечивающие отпирающее напряжение на эммитерном переходе биполярных и на затворе МДП мощных транзисторов. В биполярном транзисторе, при включении с общим эммитером (рисунок 1) необходимое смещение подается от источника коллекторного питания через делитель R₁R₂. С учетом автосмещения на резисторе от постоянной составляющей тока базы I_б0.

Цепь питания МДП транзистора, включенного по схеме с общим истоком, строится, как и для биполярного транзистора с общим эммитером, с учетом того, что постоянная составляющая тока затвора отсутствует и на делителе не будет дополнительного автосмещения.

Цепи питания биполярных и МДП транзисторов, обеспечивающих запирающее или нулевое напряжение смещения на эмиттерном переходе или затворе, показаны на рисунке 2а,б,в.

Рисунок 2.Схемы питания транзистора с автоматическим смещением.

В биполярных транзисторах запирающее автосмещение обеспечивается на сопротивлении от постоянной составляющей тока базы в схеме с общим эммитером или тока эммитера в схеме с общей базой.

При R>0 блокировочный дроссель часто не ставится. Нулевое смещение обеспечивается при R=0. Ввиду правых характеристик (E_ост>0) в МДП транзисторах обычно не возникает необходимости в запирающем смещении, т.к. постоянная составляющая тока затвора отсутствует, нулевое смещение обеспечивается включением резистора R (рисунок 2,в). Величина сопротивления которого выбирается из условия малого шунтирования по ВЧ: R> , где Z_ВХ – входное сопротивления транзистора.