Оборудование для жидкофазной эпитаксии
Метод жидкофазной эпитаксии в последнее десятилетие нашел широкое распространение в технологии полупроводниковых приборов, например при изготовлении люминесцентных и фотоэлектрических приборов на основе полупроводниковых соединений AIIIBV и их твердых растворов или силовых полупроводниковых приборов на кремнии.
Процесс жидкофазной эпитаксии можно разделить на следующие этапы. Полупроводник, легирующая примесь и добавки (растворенные вещества) расплавляются в соответствующем легкоплавком, химически инертном к раствору и подложке веществе, чаще всего в металле (растворитель). Расплав выдерживают при температуре приготовления до полной гомогенизации. После этого раствор-расплав приводится в контакт с подложкой, смачивая ее. После установления теплового равновесия при температуре смачивания возможно в случае необходимости травление подложки за счет подъема температуры и создания ненасыщенного по растворенному веществу расплава или эпитаксиальный рост растворенного вещества на подложку за счет снижения температуры и создания пересыщенного раствора-расплава. Примеси для получения легированных эпитаксиальных слоев вводятся в раствор-расплав во время приготовления шихты до ее расплавления или из газовой фазы. После осаждения эпитаксиального слоя избыточный раствор-расплав удаляют с подложки, затем подложку с осажденным слоем охлаждают до комнатной температуры.
Современная установка для жидкофазной эпитаксии должна обеспечить:
– высокую производительность процесса;
– диапазон рабочих температур в реакторе 1500–1573 К;
– проведение процесса в чистой инертной или восстановительной атмосфере с содержанием кислорода менее 1∙10-4 %;
– программированный автоматический подъем или снижение температуры раствора-расплава со скоростью 0,1– 4,0 К/мин;
– контакт свежеобразованной поверхности раствора-расплава, свободной от окисной пленки, с подложками и деконтацию использованного расплава;
– длину рабочей тепловой зоны более 500 мм с распределением температуры ±0,25°С;
– вращение кассеты с подложками в случае вертикального расположения исходных подложек в кассете.
Установка жидкофазной эпитаксии, схема которой изображена на рис. 103, состоит из камеры или реактора для ограничения рабочего объема, нагревательного элемента (печь сопротивления 1); системы прецизионного контроля и регулирования темпера-туры, системы вакуумирования и газоснабжения; кассеты 3 для размещения подложек и раствора-расплава, устройств для вращения кассеты с подложками или перемещения элементов кассеты.
Наиболее распространенным методом получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия из жидкой фазы является кристаллизация из переохлажденных насыщенных растворов в системе открытого типа. Для арсенида галлия интервал рабочих температур эпитаксии 973—1223 К. Для арсенида галлия наилучшим растворителем является галлий, обладающий низкой температурой плавления (302,5 К), высокой температурой кипения (2510 К) и низким давлением пара (0,01–0,6 Па в интервале рабочих температур). Влияние примесей сводится к минимуму, поскольку галлий является компонентом кристаллизуемого соединения. При этом применяют особо чистый галлий. В качестве материала контейнера используют графит, который не омачивается галлием и не растворяется в нем в интервале рабочих температур процесса жидкофазной эпитаксии.
Схема кассеты для разовой загрузки шихты для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия приведена на рис.7.7. Процесс жидкофазной эпитаксии осуществляется следующим образом. Графитовую кассету с размещенными на ней подложками арсенида галлия и шихтой расплава загружают в трубчатую водородную электропечь, снабженную приспособлением для наклона на требуемый угол. В процессе нагрева до заданной температуры шихта расплавляется. Шихта составляется таким образом, чтобы содержание арсенида галлия в расплавленном галлии было близким к равновесному, взятому из диаграммы состояния при заданной температуре. После небольшой выдержки угол наклона печи изменяют так, чтобы расплав переместился в отделение с подложкой и полностью ее покрыл.
Дата добавления: 2016-06-29; просмотров: 1614;