Статические характеристики и физические параметры транзистора (по схеме с общим эмиттором)
Характеристиками транзистора называются графически представленные зависимости между токами и напряжениями в его входных и выходных целях.
Семейство статических входных характеристик – это зависимости при Uк-э = const (рисунок 75.5).
Iб = f·(Uб-э)
По входной характеристике можно определить величину входного сопротивление транзистора:
(75.1)
Величина Rвх может быть найдена из графика путем проведения касательной к характеристике в т. А с ординатой равной величине входного тока, для которого требуется определить входные сопротивление.
На рисунке 75.5 (75.2),
где ΔIб - изменение тока базы при соответствующим изменении входного напряжения ΔUб-э
Семейство статических выходных характеристик – это зависимости:
(75.3)
Рисунок 75.5
Каждая кривая из семейства характеристик состоит из почти вертикального участка возрастания тока при увеличении коллекторного напряжения Uк-э от нуля до нескольких долей вольта и основного участка, представляющего прямую с малым углом наклона к оси напряжений. Небольшая величина угла наклона кривой свидетельствует о слабой зависимости коллекторного тока от величины коллекторного напряжения. По выхадным характеристикам можно определить величину выхадного сопротевления транзистора:
Способ определения показан Rвых на рисунке 75.6 по кривой I. Отношение изменения тока коллектора (ΔIк) к изменению тока базы (ΔIб) при Uк- э = const называется коэффициентом передачи базового тока β.
(75.4)
Рисунок 75.6
Для т.А (рисунок 75.6) при Iбз и при Uк-э = const например, β может быть определено следующим образом: из т.А проводится перпендикуляр к оси напряжений: из точек пересечения этого перпендикуляра с двумя ближайшими характеристиками над т. А и под ней (В и С) проводят прямые параллельные оси напряжений; отрезок на оси токов между точками В и С определяют как при изменении базового тока на величину ΔIб= Iб4 -Iб2.
Дата добавления: 2020-02-05; просмотров: 423;