Классификация и система обозначений транзисторов
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор (цифры используются для маркировки приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения). Второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов, третий (цифра) – основные функциональные возможности транзистора. Четвертый элемент (двухзначное число) обозначает порядковый номер разработки технологического типа транзистора, пятый (буква) – условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы:
- Г (или 1) – германий или его соединения;
- К (или 2) – кремний или его соединения;
- А (или 3) – соединения галлия (арсенид галлия);
- И (или 4) – соединения индия.
Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т – биполярные и П – полевые транзисторы.
Для обозначения основных функциональных возможностей транзистора применяются цифры, значение которых зависит от мощности, рассеиваемой транзистором (таблица 1.2):
Таблица 1.2
Верхняя граничная частота | Максимально допустимая мощность | ||
до 0,3 Вт (малой мощности) | 0,3 … 1,5 Вт (средней мощности) | свыше 1,5 Вт (большой мощности) | |
До 3 МГц (низкой частоты) | |||
От 3 до 30 МГц (средней частоты) | |||
Свыше 30 МГц (высокой частоты) |
Для обозначения порядкового номера разработки используют двузначное число от 01 до 99 (или, при необходимости, трехзначное число от 101 до 999).
В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков. В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:
а) цифры от 1 до 9 – для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;
б) буква С – для обозначения наборов в общем корпусе (транзисторные сборки);
в) цифра, написанная через дефис, для бескорпусных транзисторов:
1) 1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя;
2) 2 – с гибкими выводами на кристаллодержателе;
3) 3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя;
4) 4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе;
5) 5 – с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов;
6) 6 – с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Примеры обозначения транзисторов:
- КТ937А-2 – кремниевый биполярный транзистор большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе (рисунок 1.40);
Рисунок 1.40 – Расшифровка обозначения транзистора
- КТ315А – кремниевый биполярный транзистор малой мощности, высокочастотный, номер разработки 15, группа А;
- КП103Л – кремниевый полевой транзистор малой мощности, низкочастотный, номер разработки 3, группа Л;
- ГТ405Г – германиевый биполярный транзистор средней мощности, низкочастотный, номер разработки 5, группа Г.
Дата добавления: 2021-11-16; просмотров: 285;