Биполярные транзисторы
1.4.1 Устройство и принцип действия
В зависимости от принципа действия и конструктивных признаков транзисторы подразделяются на два больших класса: биполярные и полевые.
Биполярный транзистор – это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими между собой р-п–переходами и тремя или более выводами.
Полупроводниковый кристалл транзистора состоит из трех областей с чередующимися типами электропроводности, между которыми находятся два р-п-перехода. Средняя область обычно выполняется очень тонкой (доли микрона), поэтому р-п-переходы близко расположены один от другого.
В зависимости от порядка чередования областей полупроводника с различными типами электропроводности различают транзисторы р-п-р и п-р-п-типов. Упрощенные структуры и УГО разных типов транзисторов показаны на рисунке 1.23, а, б.
а б
Рисунок 1.23 – Структура и УГО биполярных транзисторов
Биполярный транзистор является наиболее распространенным активным полупроводниковым прибором. В качестве основного материала для изготовления биполярных транзисторов в настоящее время используется кремний. При этом преимущественно изготовляют транзисторы п-р-п-типа, в которых основными носителями заряда являются электроны, имеющие подвижность в два-три раза выше, чем подвижность дырок.
Управление величиной протекающего в выходной цепи (в цепи коллектора или эмиттера) биполярного транзистора тока осуществляется с помощью тока в цепи управляющего электрода – базы. Базой называется средний слой в структуре транзистора. Крайние слои называются эмиттер (испускать, извергать) и коллектор (собирать). Концентрация примесей (а, следовательно, и основных носителей зарядов) в эмиттере существенно больше, чем в базе и больше, чем в коллекторе. Поэтому эмиттерная область самая низкоомная.
Для иллюстрации физических процессов в транзисторе воспользуемся упрощенной структурой транзистора п-р-п- типа, приведенной на рисунке 1.24. Для понимания принципа работы транзистора исключительно важно учитывать, что р-п-переходы транзистора сильно взаимодействуют друг с другом. Это означает, что ток одного перехода сильно влияет на ток другого, и наоборот.
В активном режиме (когда транзистор работает как усилительный элемент) к транзистору подключают два источника питания таким образом, чтобы эмиттерный переход был смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном (рисунок 1.24). Под действием электрического поля источника ЕБЭ через эмиттерный переход течет достаточно большой прямой ток IЭ, который обеспечивается, главным образом, инжекцией электронов из эмиттера в базу Инжекция дырок из базы в эмиттер будет незначительной вследствие указанного выше различия в концентрациях атомов примесей.
Рисунок 1.24 – Физические процессы в биполярном транзисторе
Поток электронов, обеспечивающий ток IЭ через переход эмиттер – база показан на рисунке 1.24 широкой стрелкой. Часть инжектированных в область базы электронов (1 … 5%) рекомбинируют с основными для этой области носителями заряда – дырками, образуя во внешней цепи базы ток IБ. Вследствие большой разности концентраций основных носителей зарядов в эмиттере и базе, нескомпенсированные инжектированные в базу электроны движутся в глубь ее по направлению к коллектору. Вблизи коллекторного р-п-перехода электроны попадают под действие ускоряющего электрического поля этого обратносмещенного перехода. А поскольку в базе они являются неосновными носителями, то происходит втягивание (экстракция) электронов в область коллектора. В коллекторе электроны становятся основными носителями зарядов и легко доходят до коллекторного вывода, создавая ток во внешней цепи транзистора.
Таким образом, ток через базовый вывод транзистора определяют две встречно направленные составляющие тока. Если бы в базе процессы рекомбинации отсутствовали, то эти токи были бы равны между собой, а результирующий ток базы был бы равен нулю. Но так как процессы рекомбинации имеются в любом реальном транзисторе, то ток эмиттерного p-n-перехода несколько больше тока коллекторного p-n-перехода.
Для тока коллектора можно записать следующее равенство
, (1.9)
где aст – статический коэффициент передачи тока эмиттера;
IКБО – обратный ток коллекторного перехода (тепловой ток) (у транзисторов малой мощности при нормальной температуре составляет 0, 015 ... 1 мкА).
На практике статический коэффициент передачи тока эмиттера aст, взависимости от типа транзистора, может принимать значения в диапазоне 0,95 … 0,998.
Ток эмиттера в транзисторе численно является самым большим и равен
, (1.10)
откуда
, (1.11)
где – статический коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером (в справочной литературе используется обозначение h21Э, обычно принимает значение bст = 20 … 1000 в зависимости от типа и мощности транзистора).
Из ранее сказанного следует, что транзистор представляет собой управляемый элемент, поскольку значение его коллекторного (выходного) тока зависит от значений токов эмиттера и базы.
Заканчивая рассмотрение принципа работы биполярного транзистора, следует отметить, что сопротивление обратносмещенного коллекторного перехода (при подаче на него обратного напряжения) очень велико (сотни килоом). Поэтому в цепь коллектора можно включать нагрузочные резисторы с весьма большими сопротивлениями, тем самым практически не изменяя значения коллекторного тока. Соответственно в цепи нагрузки будет выделяться значительная мощность. Сопротивление прямосмещенного эмиттерного перехода, напротив, весьма мало (десятки – сотни Ом). Поэтому при почти одинаковых значениях эмиттерного и коллекторного токов мощность, потребляемая в цепи эмиттера, оказывается существенно меньше мощности, выделяемой в цепи нагрузки. Это указывает на то, что транзистор является полупроводниковым прибором, усиливающим мощность.
Технология изготовления биполярных транзисторов может быть различной: сплавление, диффузия, эпитаксия. Это в значительной мере определяет характеристики прибора. Типовые структуры биполярных транзисторов, изготовленных различными методами, приведены на рисунке 1.25. В частности, на рисунке 1.25, а показана структура сплавного, на рисунке 1.25, б – эпитаксиально-диффузионного, на рисунке 1.25, в – планарного, на рисунке 1.25, г – мезапланарноготранзисторов.
Рисунок 1.25 – Способы изготовления биполярных транзисторов
1.4.2 Режимы работы и схемы включения транзистора
На каждый р-п-переход транзистора может быть подано как прямое, так и обратное напряжение. В соответствии с этим различают четыре режима работы биполярного транзистора: режим отсечки, режим насыщения, активный режим и инверсный режим.
Активный режим обеспечивается подачей на эмиттерный переход прямого напряжения, а на коллекторный – обратного (основной режим работы транзистора). Этот режим соответствует максимальному значению коэффициента передачи тока эмиттера и обеспечивает минимальное искажение усиливаемого сигнала.
В инверсном режиме к коллекторному переходу приложено прямое напряжение, к эмиттерному – обратное (aст ® min; используется очень редко).
В режиме насыщения оба перехода находятся под прямым смещением. В этом случае выходной ток не зависит от входного и определяется только параметрами нагрузки.
В режиме отсечки оба перехода смещены в обратных направлениях. Выходной ток близок к нулю.
Режимы насыщения и отсечки используется одновременно в ключевых схемах (при работе транзистора в ключевом режиме).
При использовании транзистора в электронных устройствах нужны два вывода для подачи входного сигнала и два вывода для подключения нагрузки (снятия выходного сигнала). Поскольку у транзистора всего три вывода, один из них должен быть общим для входного и выходного сигналов.
В зависимости от того, какой вывод транзистора является общим при подключении источника сигнала и нагрузки, различают три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ) (рисунок 1.26, а); с общим эмиттером (ОЭ) (рисунок 1.26, б); с общим коллектором (ОК) (рисунок 1.26, в).
В этих схемах источники постоянного напряжения и резисторы обеспечивают режимы работы транзисторов по постоянному току, то есть необходимые значения напряжений и начальных токов. Входные сигналы переменного тока создаются источниками ивх. Они изменяют ток эмиттера (базы) транзистора, а, соответственно, и ток коллектора. Приращения тока коллектора (рисунок 1.26, а, б) и тока эмиттера (рисунок 1.26, в) создадут, соответственно, на резисторах RК и RЭ приращения напряжений, которые и являются выходными сигналами ивых.
а б в
Рисунок 1.26 – Схемы включения транзистора
При определении схемы включения транзистора необходимо учитывать то, что сопротивление источника постоянного напряжения для переменного тока близко к нулю.
1.4.3 Вольт-амперные характеристики транзистора
Наиболее полно свойства биполярного транзистора описываются с помощью статических вольт-амперных характеристик. При этом различают входные и выходные ВАХ транзистора. Поскольку все три тока (базовый, коллекторный и эмиттерный) в транзисторе тесно взаимосвязаны, при анализе работы транзистора необходимо пользоваться одновременно входными и выходными ВАХ.
Каждой схеме включения транзистора соответствуют свои вольт-амперные характеристики, представляющие собой функциональную зависимость токов через транзистор от приложенных напряжений. Из-за нелинейного характера указанных зависимостей их представляют обычно в графической форме.
Транзистор, как четырехполюсник, характеризуется входными и выходными статическими ВАХ, показывающими соответственно зависимость входного тока от входного напряжения (при постоянном значении выходного напряжения транзистора) и выходного тока от выходного напряжения (при постоянном входном токе транзистора).
На рисунке 1.27 показаны статические ВАХ р-п-р-транзистора, включенного по схеме с ОЭ (наиболее часто применяемой на практике).
а б
Рисунок 1.27 – Статические ВАХ биполярного транзистора,
включенного по схеме с ОЭ
Входная ВАХ (рисунок 1.27, а) подобна прямой ветви ВАХ диода. Она представляет собой зависимость тока IБ от напряжения UБЭ при фиксированном значении напряжения UКЭ, то есть зависимость вида
. (1.12)
Из рисунка 1.27, а видно: чем больше напряжение UКЭ, тем правее смещается ветвь входной ВАХ. Это объясняется тем, что при увеличении обратносмещающего напряжения UКЭ происходит увеличение высоты потенциального барьера коллекторного р-п-перехода. А поскольку в транзисторе коллекторный и эмиттерный р-п-переходы сильно взаимодействуют, то это, в свою очередь, приводит к уменьшению базового тока при неизменном напряжении UБЭ.
Статические ВАХ, представленные на рисунке 1.27, а, сняты при нормальной температуре (20 °С). При повышении температуры эти характеристики будут смещаться влево, а при понижении – вправо. Это связано с тем, что при повышении температуры повышается собственная электропроводность полупроводников.
Для выходной цепи транзистора, включенного по схеме с ОЭ, строится семейство выходных ВАХ (рисунок 1.27, б). Это обусловлено тем, что коллекторный ток транзистора зависит не только (и не столько, как видно из рисунка) от напряжения, приложенного к коллекторному переходу, но и от тока базы. Таким образом, выходной вольт-амперной характеристикой для схемы с ОЭ называется зависимость тока IК от напряжения UКЭ при фиксированном токе IБ, то есть зависимость вида
. (1.13)
Каждая из выходных ВАХ биполярного транзистора характеризуется в начале резким возрастанием выходного тока IК при возрастании выходного напряжения UКЭ, а затем, по мере дальнейшего увеличения напряжения, незначительным изменением тока.
На выходной ВАХ транзистора можно выделить три области, соответствующие различным режимам работы транзистора: область насыщения, область отсечки и область активной работы (усиления), соответствующая активному состоянию транзистора, когда ½UБЭ ½ > 0 и ½UКЭ½> 0.
Входные и выходные статические ВАХ транзисторов используют при графо-аналитическом расчете каскадов, содержащих транзисторы.
Статические входные и выходные ВАХ биполярного транзистора р-п-р-типа для схемы включения с ОБ приведены на рисунке 1.28, а и 1.28, б соответственно.
а б
Рисунок 1.28 – Статические ВАХ биполярного транзистора для
схемы включения с ОБ
Для схемы с ОБ входной статической ВАХ называют зависимость тока IЭ от напряжения UЭБ при фиксированном значении напряжения UКБ, то есть зависимость вида
. (1.14)
Выходной статической ВАХ для схемы с ОБ называется зависимость тока IК от напряжения UКБ при фиксированном токе IЭ, то есть зависимость вида
. (1.15)
На рисунке 1.28, б можно выделить две области, соответствующие двум режимам работы транзистора: активный режим (UКБ < 0 и коллекторный переход смещен в обратном направлении); режим насыщения (UКБ > 0 и коллекторный переход смещен в прямом направлении).
1.4.4 Математическая модель биполярного транзистора
К настоящему времени известно много электрических моделей биполярных транзисторов. В системах автоматизации проектирования (САПР) радиоэлектронных средств наиболее часто используются: модели Эберса-Молла, обобщенная модель управления зарядом Гуммеля-Пуна, модель Линвилла, а также локальные П- и Т-образные модели линейных приращений Джиаколлето.
Рассмотрим, в качестве примера, один из вариантов модели Эберса-Молла (рисунок 1.29), отражающей свойства транзисторной структуры в линейном режиме работы и в режиме отсечки.
Рисунок 1.29 – Схема замещения биполярного транзистора
(модель Эберса-Молла)
На рисунке 1.29 использованы обозначения: rэ, rб, rк – сопротивления, соответственно, эмиттерной, базовой и коллекторной областей транзистора и контактов к ним; Iб , Iк – управляемые напряжением ип на входном переходе источники тока, отражающие передачу тока через транзистор; Rэб – сопротивление утечки перехода база-эмиттер; Rкб – сопротивление утечки перехода база-коллектор. Ток источника Iб связан с напряжением на переходе соотношением
, (1.15)
где IБО – ток насыщения перехода база-эмиттер (обратный ток);
yк = (0,3 … 1,2) В – контактная разность потенциалов (зависит от типа полупроводникового материала);
т – эмпирический коэффициент.
Параллельно переходу база-эмиттер включены барьерная емкость Сбэ и диффузионная емкость Сдэ перехода. Величина Сбэ определяется обратным напряжением на переходе ип и зависит от него по закону
, (1.16)
где С0б – емкость перехода при ип = 0;
g = 0,3 ... 0,5 – коэффициент, зависящий от распределения примесей в области базы транзистора.
Диффузионная емкость является функцией тока Iб, протекающего через переход, и определяется выражением
, (1.17)
где А – коэффициент, зависящий от свойств перехода и его температуры.
Коллекторно-базовый переход моделируется аналогично, отличие состоит лишь в учете только барьерной емкости перехода
, (1.18)
так как при работе транзистора в линейном режиме и режиме отсечки коллекторного тока этот переход закрыт. Выражение для тока управляемого источника коллекторного тока, моделирующего усилительные свойства транзистора, имеет вид
, (1.19)
где bст – статический коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме с общим эмиттером.
Параметры модели Эберса-Молла могут быть получены либо расчетным путем на основе анализа физико-топологической модели транзистора, либо измерены экспериментально. Наиболее легко определяются статические параметры модели на постоянном токе.
Глобальная электрическая модель дискретного биполярного транзистора, учитывающая индуктивности и емкости его выводов, представлена на рисунке 1.30.
Рисунок 1.30 – Глобальная модель биполярного транзистора
1.4.5 Основные параметры биполярного транзистора
При определении переменных составляющих токов и напряжений (то есть при анализе электрических цепей на переменном токе) и при условии, что транзистор работает в активном режиме, его часто представляют в виде линейного четырехполюсника (рисунок 1.31, а). Названия (физическая сущность) входных и выходных токов и напряжений такого четырехполюсника зависят от схемы включения транзистора.
а б
Рисунок 1.31 – Представление биполярного транзистора
линейным четырехполюсником
Для схемы включения транзистора с общим эмиттером токи и напряжения четырехполюсника (рисунок 1.31, б) соответствуют следующим токам и напряжениям транзистора:
- i1 – переменная составляющая тока базы;
- u1 – переменная составляющая напряжения между базой и эмиттером;
- i2 – переменная составляющая тока коллектора;
- u2 – переменная составляющая напряжения между коллектором и эмиттером.
Транзистор удобно описывать, используя так называемые h-параметры. При этом система уравнений четырехполюсника в матричном виде примет вид
. (1.20)
Коэффициенты hij (то есть h-параметры) определяют опытным путем, используя поочередно режимы короткого замыкания и холостого хода на входе и выходе четырехполюсника. Сущность h-параметров для схемы включения транзистора с ОЭ следующая:
- – входное сопротивление транзистора для переменного сигнала при коротком замыкании на выходе;
- – выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе;
- – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе;
- – коэффициент передачи тока транзистора при коротком замыкании на выходе.
Используя схему замещения транзистора, можно найти зависимость h-параметров от параметров транзистора. Вчастности, можно показать, что для схемы включения транзистора с ОЭ имеют место следующие соотношения:
, (1.21)
, (1.22)
, (1.23)
. (1.24)
В приведенных формулах использованы следующие параметры транзисторов:
- rб – омическое сопротивление тела базы. У реальных транзисторов достигает значений 100 … 200 Ом;
- rэ – сопротивление р-п-перехода, значение которого зависит от режима работы транзистора и меняется в активном режиме в пределах долей – десятков Ом;
- b – дифференциальный коэффициент передачи тока базы, определяемый из выражения
; (1.25)
- – сопротивление коллекторной области, определяемое из выражения
, (1.26)
где rк – дифференциальное сопротивление коллекторного перехода (обычно находится в пределах доли – десятки МОм), определяемое из выражения
(1.27)
Дата добавления: 2021-11-16; просмотров: 382;