Разновидности источников


В прошлом к источникам искусственного света для бытового освещения и промышленного оборудо­вания относили электрические лампы накаливания, люмине­сцентные лампы, газоразрядные источники света, наполненные парами, и неоновые лампы.

Излучение этих источников лежит в широком диапазоне длин волн спектра, значительная часть которого выходит за пределы видимой области. Достижения полупроводниковой электроники за последнее десятилетие по­зволяют включить в этот перечень новые источники света – светодиоды (СД). Отличительной особенностью этих полупро­водниковых приборов является то, что создаваемое ими излу­чение лежит в весьма узком спектральном диапазоне [30] (в соответствии с рис. 3.1). В таблице 4.1 приведены используемые в оптоэлектронике единицы измерения длин волн l. Наиболее распро­страненной среди них является нанометр.

 

 

Рис. 3.1. Нормализованные спектры некоторых источников излучения: 1 – зеленый СИД, 2 – желтый СИД, 3 – красный СИД, 4 – инфракрасный СИД, 5 – лампа накаливания с вольфрамовой нитью, температура 2500 К, 6 – лампа накаливания с вольфрамовой нитью, температура 3400 К, 7 – неоновая лампа

 

Согласно теории проводимости твер­дого тела, при прохождении тока через p-n-переход в резуль­тате рекомбинации дырок или электронов с носителями заряда противоположного знака всегда выделяется световая (фотоны) или тепловая (фононы) энергия.

 

 

Таблица 3.1 – Единицы измерения длин волн

Наименование Обозначение Значение, м Эквивалент
Микрон   Нанометр Ангстрем мкм   нм А 1 × 10-6   1 × 10-9 1 × 10-10 1 мкм = 1000 нм 1 мкм = 10000 А 1 нм = 10 А 1 А = 0,1 нм

 

Одним из положений кванто­вой теории является то, что в твердых кристаллах электроны могут иметь только определенную энергию; запрещенная энер­гетическая зона представляет собой промежуток между верхом валентной зоны и дном зоны проводимости. Эта зона характе­ризует полупроводник, а ее ширина, выраженная в электрон-вольтах (эВ), определяет длину волны испускаемого излуче­ния. Проведенный изготовителями анализ различных полупро­водниковых материалов с точки зрения их пригодности для из­готовления светодиодов по таким параметрам, как длина вол­ны, эффективность преобразования энергии и легкость легиро­вания, позволил остановить выбор на арсениде галлия (GaAs), фосфиде галлия (GaP) и соединении (GaAsP).



Дата добавления: 2017-05-02; просмотров: 1215;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.007 сек.