Четырехслойные полупроводниковые приборы (тиристоры).
Тиристоры относятся к классу 4х слойных полупроводниковых приборов состоящих из четырех последовательно чередующихся областей с проводимостью p и n –типа.
Диодный тиристор - имеет вывод от двух крайних областей
Рис. 11.
Триодный тиристор в отличие от динистора имеет еще и управляющий электрод.
В этих структурах крайние электронно-дырочные переходы называются эмиттерами, средний переход - коллекторным. Внутренние области n-p
называются базами. Электрод связанный с внешней р- областью называется Анодом , а с n-областью катодом. Из схемы включения динистора видно, что коллекторный переход заперт обратным напряжением источника Е.
Типовая вольт-амперная характеристика динистора приведена на рисунке.
Рис. 12.
Для области Оа характерно то, что значительный рост напряжения сопровождается малым ростом тока.
Область аб – область лавинного пробоя. Участок бв – область отрицательного сопротивления, на котором рост тока сопровождается уменьшением напряжения.
Динистор характеризуется 2 устойчивыми состояниями ( Оа и вг) наличие которых позволяет использовать прибор в качестве мощного переключающего элемента в различных устройствах автоматики.
Для анализа работы тиристоров представим его в виде двух транзисторов.
Причем: 
Рис. 13.
При увеличении Э.Д.С. источника инжектированные одним из эмиттеров основные носители зарядов пересекают область , где они не являются основными частично рекомбинировая в ней.
Нерекомбинировавшиеся носители проходят через коллекторный переход и, оказавшись в области, для которой они являются основными т.е. в слое базы сопряженного транзистора, понижают высоту потенциального барьера, способствуя инжектированию зарядов из второго эмиттера, что ведет к увеличению общего тока прибора.
Переход структуры p-n-p-n из непроводящего состояния в проводящее можно вызвать не только внешним напряжением, но и увеличением напряжения в одном из эквивалентных транзисторов. Для этого в тиристоре от одной из баз делают вывод (управляющий электрод). Меняя ток управляющего электрода можно регулировать напряжение переключения, а следовательно управлять работой прибора.
Рис. 14.
Основные параметры:
1). Напряжение вкл. 
- напряжение при котором ток через прибор начинает резко возрастать.
2). Ток включения- ток при приложении напряжения включения.
3). Удерживающий ток – минимальный ток необходимый для удержа6ния тиристора в откр. Состоянии.
4). Напр. в открытом состоянии.
5). Ток в закрытом состоянии.
6). Пост. отпир. Ток УЭ- минимальный тоу УЭ, который по рекл. тиристор.
Однопереходный транзистор (двухбвзовый диод).
Однопереходный транзистор представляет собой монокристалическую пластинку кремния n-типа с высоким значением удельного сопротивления, на кондах которой расположены омические контакты Б1 и Б2, а на боковой стороне – один эмиттерный переход (рис1).
Участки кристалла длинной 
и 
( 
) выполняют роль базы.
Эмиттерный контакт связан с внешним выводом эмиттера Э.
Рис. 15
Схема включения однопереходноготранзистора показана на рис.2. К выводам баз Б1 и Б2 подключают напряжение питания UБ1 Б2, причем Б2 имеет положительный потенциал относительно Б1. Под действием этого напряжения в кремневой пластинке возникает ток IБ1 Б2.
Участок между базами Б1 и Б2 однопереходного транзистора представляет собой омическое сопротивление в несколько КОМ с линейной вольт амперной характеристикой. Поэтому напряжение UБ1 Б2 распределяется по базам пропорционально их сопротивлениям. Эти напряжения соответственно равны UЭБ1 и UЭБ1. Полярность напряжения UБ1 такова, что в исходном состоянии эмиттерный 
переход будет смещен в обратном направлении и через него пройдет только небольшой обратный ток IЭБ0.
Рис. 16
Это же состояние сохранится при подаче на эмитттер отрицательного напряжения UЭ или положительного, но не превышающего величину UЭБ1. Если же напряжение UЭ превысит напряжение UЭБ1 на величину, достаточную для отпирания перехода (точка АНА рис.3.), то в кремнивую пластинку будут инжектироваться дырки. Под действием напряжения UБ1 Б2 дырки будут двигаться к выводу Б1, образуя эмиттерный ток, что приведет к увеличению проводимости на участке 
. В результате внутреннее напряжение UБ1 уменьшится, что приведет к дальнейшему росту IЭ. Этот процесс будет протекать лавинообразно. С ростом эмиттерного тока, сопротивление эмиттерного перехода снижается, а напряжение UЭ уменьшается.
Рис. 17
Благодаря простоте конструкции, стабильному напряжению срабатывания, малому потреблению тока в цепи управления хорошей повторяемости параметров от образца к образцу, возможности передачи мощных импульсов, однопереходные транзисторы с успехом используют в разнообразных импульсных схемах.
Фототранзисторы.
Фототранзистор представляет собой фото гальванический приемник излучения, фоточувствительный элемент которого содержит структуру транзистора, обеспечивающую внутреннее усиление. Конструктивно фото транзистор выполнен так, чтобы световой поток воздействовал на базовую область. Обычно фото транзистор включается по схеме с общим эмиттером и при отсутствии освещения через него протекает темновой ток IКЭ0. При освещение базы в ней происходит генерация дополнительных пар электрон-дырка. Дырки являясь неосновными носителями зарядов в базе диффундируют к коллекторному переходу и втягиваются полем в коллектор, образуя первую составляющую фототока Iф1.
Лекция №5
Дата добавления: 2021-07-22; просмотров: 318;
