Эквивалентная схема р-n перехода

Для анализа работы полупроводниковых приборов (диодов), а также для выявления их особых параметров и характеристик удобно пользоваться эквивалентной схемой р-n перехода (диода) по переменному току, показанной на рис.7.12 где r₁ = r_Б + r_Э - объемное (распределенное) сопротивление р и n областей, имеющие величину 1…10 Ом; L_ВВ - индуктивность вводов, величина которой составляет 1…10 наногенри; С_ВВ - емкость между вводами, обычно не превышающая десятые доли пикофарады.

Рис. 7.12

L_ВВ и С_ВВ - ввиду их малости, учитываются только при работе на сверхвысоких частотах (СВЧ). При работе на более низких частотах этими величинами можно пренебречь и тогда эквивалентная схема упростится.

7.12.Гетеропереходы: энергетическая диаграмма, особенности физических процессов и ВАХ.

Гетеропереходом называют переходный слой с существующим там диффузионным электрическим полем между двумя различными по химическому составу полупроводниками, обладающие различной шириной запрещенной зоны.

Для получения гетеропереходов хорошего качества необходимо, чтобы у материалов образующих переход с высокой точностью совпадали два параметра: температурный коэффициент расширения и постоянная кристаллической решетки, что ограничивает выбор материалов для гетеропереходов. В настоящее время наиболее исследованными являются пары: германий – арсенид галлия , арсенид галлия – фосфид индия , арсенид галлия – арсенид индия , германий – кремний .

Каждый из полупроводников, образующих гетеропереход может иметь

Рис.7.13

различный тип электропроводности. Поэтому для каждой пары полупроводников в принципе возможно осуществить четыре типа гетероструктур: ;; и .,

При образовании гетероперехода из-за разных работ выхода электронов из разных полупроводников происходит перераспределение носителей заряда в приконтактной области и выравнивание уровней Ферми в результате установления термодинамического равновесия (рис. 7.136).