Классификация транзисторов

Классификация транзисторов производится по следующим признакам:

а) По исходному материалу:

– германиевые;

– кремниевые;

– арсенид - галлиевые.

b) по диапазону рабочих частот:

– низкочастотные (до 3 МГц);

– среднечастотные (от 3 до 30 МГц);

– высокочастотные (свыше 30 МГц).

с) По мощности:

– малой мощности (до 0,3 Вт);

– средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт);

– большой мощности (свыше 1,5 Вт).

Система обозначений транзисторов

Система обозначений транзисторов, состоит из четырех элементов:

Первый элемент обозначения – буква или цифра, обозначающая материал, на основе которого выполнен транзистор:

– буква Г или цифра 1 – германий;

– буква К или цифра 2 – кремний;

– буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй элемент обозначения – буква, определяющая подкласс прибора:

– буква Т – биполярный транзистор;

– буква П – полевой транзистор.

Третий элемент обозначения – группа, состоящая из трех цифр:

а) первая цифра (от 1 до 9) третьего элемента обозначения – классификационный номер прибора в соответствии с его назначением:

b) последующие две цифры третьего элемента обозначения (от 01 до 99) – порядковый номер разработки прибора данного класса.

Четвертый элемент – буква, указывающая разновидность прибора из этой разработки.

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ

Терминология

Микроэлектроника представляет собой область электронной техники, в которой электронные приборы создаются на основе физических, химических, схемотехнических и технологических процессов.

В микроэлектронике применяются следующие виды интеграции:

– элементная, при которой отдельные элементы схемы объединены в единый блок;

– функциональная, при которой приборы создаются на основе физических свойств твердого тела.

Приборами, относящимися к области электроники, являются:

– микромодули;

– микросхемы.

Микромодули представляют собой электронные приборы, собранные из различных специально разработанных элементов, имеющих одинаковые стандартные присоединительные размеры.

Микросхемы – это электронные приборы с плотностью монтажа не менее 5 элементов в 1 см³ объема.

Интегральные микросхемы – микросхемы, элементы которых связаны между собой так, что устройство рассматривается, как единое целое.

Большие интегральные схемы – это интегральные микросхемы, в состав которых входит 10 000 ¸ 100 000 элементов.

Полупроводниковые интегральные микросхемы – это микросхемы, элементы которых выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала.

Пленочные интегральные микросхемы – микросхемы, выполненные в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрика.

Гибридные микросхемы – микросхемы, выполненные комбинированным способом.

По функциональному назначению микросхемы подразделяются на два типа:

– аналоговые микросхемы, у которых величина напряжения на выходе может изменяться по определенному закону в соответствии с сигналами, подаваемыми на вход, или в соответствии с внутренними процессами, происходящими в самой схеме;

– цифровые (логические) микросхемы, выходное напряжение которых может принимать только два дискретных значения: либо наличие выходного сигнала (логическая “1”), либо его отсутствие (логический “0”).