Динамічні запам'ятовувачі ВІС ОЗП

Їх також виконують на біполярних та польових транзисторах. Відмінність побудови схем динамічних запам'ятовувачів полягає у способі запам'ятовування двійкової інформаціі, який реалізується зарядом або розрядом паразитної ємності. Схему динамічного запам'ятовувача виконують на базі одного або трьох транзисторів. На відміну від статичного запам'ятовувача динамічний значно простіший і економічніший, бо вимагає вдвічі меншого числа транзисторів, і, отже, на однакових розмірах кристалу дозволяє вдвоє збільшити інформаційну місткість. Тому динамічні ОЗП дають змогу будувати ВІС надвеликих місткостей. Перевага динамічних запам'ятовувачів ще в тому, що їм не потрібне джерело живлення.

Оскільки значення паразитної ємності, як правило, не перевищує 0,1пФ, стала часу розряду накопичувального конденсатора є досить значною - не менше 1мс. Тому, щоб розрізнити одиницю інформації /0 або 1/, яка зберігається у вигляді заряду, необхідно її відновлювати, тобто регенерувати, причому з періодом регенерації не менше від 1мс. Це ускладнює схему запам'ятовувача і організацію структури ВІС ОЗП у цілому.

На рис. 5.2.а,б показано схеми динамічних одно- та тритранзисторного запам'ятовувачів ОЗП, які найбільш поширені у ВІС ОЗП великої місткості /> 16К/. В обох схемах запам'ятовувачів зберігання двійкової інформації здійснюється на конденсаторі C, а транзистор VТ відіграє роль перемикача, що передає заряд конденсатора C у розрядну шину при зчитуванні або розряджає його при записі інформації.

Рис. 5.63 Схеми динамічних запам’ятовувачів

Спільним для наведених тут схем на базі n-МОН-транзисторів динамічних запам'ятовувачів є також те, що для отримання можливості зчитувати інформацію конденсатор С попередньо заряджають, імпульсами високого рівня, які подають на ШР при активізації вибірки, тобто при подачі високого рівня на ША.

Отже, записування інформації в однотранзисторному запам'ятовувачі відбувається подачею високого потенціалу на ШР на відкритий транзистор, а зчитування - струмом розряду конденсатора в ШР з руйнуванням інформації. У тритранзиcторного запам'ятовувача накопичувальний конденсатор ізольований від ШР, і тому зчитування інформації відбувається без її руйнування. Проте через струми витікання у конденсаторі потрібна періодична регенерація інформації. Цей процес досягається подачею високого потенціалу на ША і спеціальною схемою регенерації, яку під'єднують до ШР.

Регенерація динамічного запам'ятовувача ОЗП здійснюється за кожним звертанням до нього. Схема регенератора-підсилювача автоматично виконує цей процес при звертанні до cтовпця накопичувача з інтервалами близько сотні мікросекунд. Динамічні ОЗП побудовані так, що сам процес звертання до стовпця забезпечує регенерацію інформації в усіх його запам'ятовувачах.