Аппаратура эры дискретных полупроводниковых приборов- это аппаратура третьего поколения.

Именно реальность создания сложных электронных устройств и систем, содержащих тысячи электрорадиоэлементов (ЭРЭ), обусловила новые противоречия в развитии электронной промышленности и электроники. Разрабатываемые в конце 50-х годов ЭВМ должны были содержать около 100 тыс. диодов и 25 тыс. транзисторов.

Возникла проблема качества сборочно-монтажных работ по обеспечению производства работоспособных и надежных радиоэлектронных устройств, содержащих большое количество ЭРЭ.

Решение проблемы межсоединений привело к созданию интегральных микросхем (ИМС). В электронике и электронной промышленности появился новый этап-микроэлектроника. Практически одновременно в конце 40-х - в начале 50-х годов возникло три конструктивно-технологических варианта ИМС: толстопленочные и тонкопленочные гибридные интегральные микросхемы (ГИС) и полупроводниковые интегральные микросхемы.

В 60-е годы, начало 70-х годов были годами новых качественных изменений в полупроводниковой интегральной электронике, генерации новых идей, технологий, полупроводниковых приборов и устройств.

Следует подчеркнуть также бурный рост темпов развития электроники и электронной промышленности, выраженной не столько в росте объемов производства изделий электронной промышленности, сколько в росте темпов внедрения новых изобретений и идей, в резком сокращении сроков от научных открытий до их освоения в производстве.

Так, реализация принципа, на котором основаны фотография, потребовала более 100 лет (1727-1839), телефон- чуть больше полувека (1820-1876), радио - только 25 лет (1887 г. - изучение радиоволн Г. Герцем, 1895 г. - изобретение радио Л.С. Поповым, 1920 г. - первые выпускаемые промышленностью приемопередающие системы), электронное телевидение- 14 лет (1922-1936), электронная вычислительная машина- 5 лет (1942-1946), транзистор-5 лет (1948-1953), интегральные микросхемы -З года (1959-1962).

В современном понимании интегральная микросхема- это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации, содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и др.), изготовленных в едином технологическом цикле.

Термин « интегральная микросхема » отражает: объединение значительного числа транзисторов, диодов, конденсаторов, резисторов и соединяющих проводников в единую конструкцию (конструктивная интеграция); выполнение схемой функций преобразования информации, более сложных по сравнению с функциями отдельных ЭРЭ (схемотехническая интеграция); выполнение в едином технологическом цикле одновременно всех ЭРЭ схемы и межсоединений и одновременное формирование групповым методом большого числа одинаковых ИМС (технологическая интеграция).

Результатом комплексной микроминиатюризации электронной аппаратуры (вычислительной техники, аппаратуры связи, устройств автоматики) являются уменьшение ее габаритов, массы, энергопотребления, материалоемкости, стоимости, увеличение объема выполняемых функций, повышение надежности, возможность резкого расширения масштабов производства. Элементной базой, на основе которой возможно эффективно осуществлять комплексную микроминиатюризацию электронной аппаратуры, служат интегральные микросхемы.