Изучение динамических свойств и выполняемых логических функций диодных логических элементов.

Изучение статических свойств полупроводниковых диодов.

1.1. Соберите предложенную на рис. 8.1 схему, используя поочередно германиевый и кремниевый диоды и измеряя каждый раз падение напряжения на диоде. Сравните полученные результаты и сделайте выводы. Измените величину тока через кремниевый диод в два раза и повторите измерение падения напряжения.

Рис. 8.1. Схема измерения параметров диода

Рассчитайте дифференциальное сопротивление прямосмещенного диода, используя результаты эксперимента. Оцените, сколь велико приращение падения напряжения на диоде по сравнению с падением напряжения при первом измерении. Сделайте выводы. Рассчитайте величину теплового тока I₀ в предложенной формулой 8.1 зависимости тока через диод от напряжения.

1.2. Соберите предложенную на рис. 8.2 схему, используя кремниевые диоды. Измерьте токи в цепях диодов VD1 и VD2, сравните
их значения, определив, во сколько раз ток диода VD1 больше тока диода VD2.

Рис. 8.2. Схема сравнения параметров диодных цепей

Рассчитайте с помощью формулы (8.1) теоретическое значение отношения токов и сравните теоретическое значение с результатом измерения. Сделайте выводы.

Изучение динамических свойств и выполняемых логических функций диодных логических элементов.

Соберите поочередно предложенные на рис. 8.3 схемы, определите выполняемые ими функции, составьте таблицы истинности, постройте временные диаграммы, идеализировав фронты сигналов, измерьте времена задержки и фронты выходного сигнала. Определите, какой из фронтов передается хуже и почему. Если ответ на этот вопрос не очевиден по результатам экспериментов, то усложните схемы добавлением паразитной емкости на выходе величиной 120 пФ.