Принципы базирования


 

Принцип совмещения баз.При назначении технологических баз для точной обработки заготовки в качестве технологических баз следует принимать поверхности, которые одновременно являются конструкторскими и измерительными базами детали, а также используются в качестве баз при сборке изделий. В наиболее общем виде принцип совмещения баз состоит в том, чтобы использовать в качестве про­ектной конструкторской и действительных технологической и измерительной баз по отношению к рассматриваемой поверхности одни и те же элементы детали.

Этот принцип является одним из самых важных при разра­ботке конструкции и технологических процессов, поскольку не­совмещение баз приводит к появлению погрешности базирова­ния ɷКб. Наиболее полно этот принцип может использовать кон­структор, так как именно он выбирает схемы базирования и коор­динации поверхностей.

Рис. 4

 

Конструкторская база задается рабочим чертежом. Если кон­структор решил вопрос совмещения баз удовлетворительно, то тех­нолог использует конструкторскую базу в качестве действительной тех­нологической или измерительной ба­зы. Правильно назначив измерительную базу, совместив ее с кон­структорской или произведя пересчет конструкторских раз­меров на технологические при несовмещении технологиче­ской и измерительной баз с конструкторской и используя принцип постоянства базы, можно достичь хороших резуль­татов.

Размер К задан конструктором от базы 0, являющейся осью цилиндрической поверхности детали. Эту базу можно сов­местить с технологическими базами, поставив деталь при обра­ботке поверхности Б на центровые гнезда, с помощью которых, по-видимому, обрабатывалась сама цилиндрическая поверхность на предшествующей операции (постоянная технологическая база). В этом случае погрешность базирования отсутствует. На фрезерной операции технолог выбрал в качестве технологической и измерительной баз поверхность А (совмещены технологическая и измерительная базы).

 

 

 

Рис. Схема для расчета погрешности базирования в сборочных приспособлениях

 

Принцип постоянства базы.Принцип постоянства баз заключается в том, что при разработке технологического процесса необходимо стремиться к использованию одной и той же технологической базы, не допуская без особой необходимости смены технологических баз (не считая смены черновой базы). Стремление осуществить обработку на одной технологической базе объясняется тем, что всякая смена технологических баз увеличивает погрешность взаимного расположения поверхностей, обработанных от разных технологических баз, дополнительно внося в нее погрешность взаимного расположения самих технологических баз, от которых производилась обработка поверхностей.

В связи с тенденцией повышения концентрации операций принцип постоянства базы приобретает особое значение. Сущность его состоит в следующем.

Погрешности во взаимном расположении поверхностей, выпол­ненных по координационным размерам от одной технологической базы, зависят лишь от погрешностей обработки и настройки и не зависят от погрешностей установки и схемы базирования.

Предположим, что поверхности М и N уже обработаны (рис. 11.2).

Вариант 1. Действительной технологической базой при обра­ботке двух отверстий и выдерживания размера С' ± 0,05 служит поверхность М, которая одновременно является проектной кон­структорской базой (рис. 11.2, а). Здесь и далее считаем, что точ­ность обработки на всех операциях одинакова (±0,05 мм); буквен­ные размеры со штрихом — технологические. Отверстие также обрабатывается от технологической базы М по координационному размеру Д' ± 0,05 (рис. П.2, б). Ожидаемая точность обработки размера Б± 0,1 мм.

Вариант 2, Действительной технологической базой при обработке 2-х отверстий по координатному размеру Е± 0,05 служит поверхность N(рис. П.2, в). Отверстие также обрабаты­вается от установочной базы N по размеру Р' ± 0,05

 

 

 

 

Рис. 11.2, Использование постоянной базы

 

(рис.11.2,г).Ожидаемая точность расположения отверстий по размеру Б, как и в первом варианте, — 0,1 мм.

Вариант 3. Действительной технологической базой при обра­ботке двух отверстий по координационному размеру Е' ± 0,05 служит поверхность N(рис. П.2, д). Отверстие обрабатывается относительно другой базы — поверхности Мпо координацион­ному размеру Д' = ± 0,05 (рис. II.2, е).

 

Ожидаемая точность расположения отверстий по размеру Б составит ±0,2 мм, так как необходимо учесть погрешность рас­положения базовых поверхностей М и N относительно друг друга заданную допуском ± 0,1 мм.

 

Этот пример показывает, что соблюдение принципа постоянства баз приводит к повышению точности обработки.

u ZIdkp+ELcVgeOHujqyh7JtUoY8pKH0kMvI0M+qEcYrdm4W0guIRqj6xaGEcbVxGFFux3Snoc64K6 b1tmBSXqncbOXE3n87AHUZlnFzNU7LmlPLcwzRGqoJ6SUVz7cXe2xsqmxUjjLGi4wW7WMnL9lNUx fRzd2ILjmoXdONej19PPYPUbAAD//wMAUEsDBBQABgAIAAAAIQCOnSPD3gAAAAkBAAAPAAAAZHJz L2Rvd25yZXYueG1sTI/BTsMwDIbvSLxDZCQuiCVrC4LSdJomEOcNLtyyxmsrGqdtsrXj6TEndrPl T7+/v1jNrhMnHEPrScNyoUAgVd62VGv4/Hi7fwIRoiFrOk+o4YwBVuX1VWFy6yfa4mkXa8EhFHKj oYmxz6UMVYPOhIXvkfh28KMzkdexlnY0E4e7TiZKPUpnWuIPjelx02D1vTs6DX56PTuPg0ruvn7c +2Y9bA/JoPXtzbx+ARFxjv8w/OmzOpTstPdHskF0GrJUPTCqIU25AgNZtuRyex7UM8iykJcNyl8A AAD//wMAUEsBAi0AFAAGAAgAAAAhALaDOJL+AAAA4QEAABMAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAAFtDb250 ZW50X1R5cGVzXS54bWxQSwECLQAUAAYACAAAACEAOP0h/9YAAACUAQAACwAAAAAAAAAAAAAAAAAv AQAAX3JlbHMvLnJlbHNQSwECLQAUAAYACAAAACEAiFcZKjICAABUBAAADgAAAAAAAAAAAAAAAAAu AgAAZHJzL2Uyb0RvYy54bWxQSwECLQAUAAYACAAAACEAjp0jw94AAAAJAQAADwAAAAAAAAAAAAAA AACMBAAAZHJzL2Rvd25yZXYueG1sUEsFBgAAAAAEAAQA8wAAAJcFAAAAAA== " strokecolor="white">
 
 
Рис. 7, а, б. Схема базирования (а) и схема установки (б) с совмещением измерительной и установочной (технологической) баз при обработке уступа;

 

Рис. 7, в. Схема к расчету погрешности базирования при несовпадении измерительной и технологической баз



Дата добавления: 2017-06-13; просмотров: 6411;


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2024 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.01 сек.