Дифференциальные параметры биполярного транзистора
Статические характеристики и их семейства наглядно связывают постоянные токи электродов с постоянными напряжениями на них. Однако часто возникает задача установить количественные связи между небольшими изменениями (дифференциалами) этих величин от их исходных значений. Эти связи характеризуют коэффициентами пропорциональности -дифференциальными параметрами.
Рассмотрим процедуру введения дифференциальных параметров БТ на примере наиболее распространенных h-параметров, приводимых в справочниках по транзисторам. Для введения этой системы параметров в качестве независимых переменных при описании статического режима берут входной ток IВХ (IЭ или IБ) и выходное напряжение UВЫХ (UKБ или (UКЭ):
U1= f (I1,U2) (3.23)
I2= f (I1,U2)
В этом случае полные дифференциалы
(3.24)
Частные производные в выражениях (3.24) и являются дифференциальными h-napaметрами, т.е.
dU1=h11 d I1 +h12 dU2 (3.25)
dI2=h21 dI1 + h22 dU2
(h11 -входное сопротивление, h12 -коэффициент обратной передачи, h21 -коэффициент передачи входного тока и h22 -выходная проводимость). Названия и обозначения этих параметров взяты из теории четырехполюсников для переменного тока.
Приращения статических величин в нашем случае имитируют переменные токи и напряжения.
Для схемы с общей базой
dUЭБ=h11Б d IЭ +h12Б dUКБ (3.26)
dIК=h21Б dIЭ + h22Б dUКБ
Эти уравнения устанавливают и способ нахождения по статическим характеристикам, и метод измерения h-параметров. Полагая dUКБ = 0, т.е. UКБ = const, можно найти h11Б и h21Б, а считая dIЭ = 0, т. е. IЭ = const. определить h12Б и h22Б.
Аналогично для схемы с общим эмиттером можно переписать (3.26) в виде
dUБЭ=h11Э d IБ +h12Э dUКЭ (3.27)
dIК=h21Э dIБ + h22Э dUКЭ
Связь h-параметров со статическими характеристиками схем с ОБ и ОЭ и их определение по ним рассмотрены в [4].
Дата добавления: 2017-05-02; просмотров: 839;