Полевые транзисторы с изолированным затвором.

n- МОП- металл окисел полупроводник;

n- МДП- металл диэлектрик полупроводник;

p-МОП- металл окисел полупроводник;

k- МОП- металл окисел полупроводник;

Они делятся:

- Полевые транзисторы со встроенным каналом;

- Полевые транзисторы с индуцированным каналом;

9.6 Рассмотрим полевые транзисторы со встроенным каналом:

Рисунок 9.4

Принцип действия основан на эффекте изменения проводимости токопроводящего канала под воздействием поперечного электрического поля.

ток увеличивается;

управляющее напряжение;

ток уменьшается;

Для таких транзисторов возможен как режим обогащения , так режим обеднения. Если канал n-типа ,то при ток стока увеличивается ,так как электроны стремятся к положительному полюсу. Электроны из области р - также будут стремиться в n-канал. Концентрация носителей заряда в канале увеличивается , ток стока возрастает – это режим обогощения , если поле затвора оказывает отталкивающее действие на электроны, приводит к уменьшению их концентрации и уменьшению проводимости канала , ток стока уменьшается – это режим обеднения.

МОП или МДП – это транзисторы ,затвор которых электрически отделён от канала слоем диэлектрика.

Рисунок 9.5

МОП- это транзисторы со встроенным каналом n-типа.