Биполярные транзисторы

Транзистор – это управляемый полупроводниковый прибор, который, благодаря таким своим преимуществам, как малые габариты, стоимость и высокая надёжность, используется в схемах усиления сигналов, а также в импульсных схемах.

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную ПП структуру с чередующимся типом электропроводности слоев и содержит два р-n-перехода. В зависимости от чередования слоев существуют транзисторы типов р-n-р и n-р-n (рис. 3.1, а, б). Их условное обозначение на электронных схемах показано на рис. 3.1, в, г. Трехслойная транзисторная структура типа р-n-р, выполненная по сплавной технологии, показана на рис. 3.1, д. Пластинка ПП n-типа является основанием т.е. базой, первый из р-слоев называется эмиттером, а второй – коллектором.

Функция эмиттерного перехода – инжектирование носителей заряда в базу, функция коллекторного перехода– сбор носителей заряда, прошедших через базовый слой. Чтобы носители заряда, инжектированные эмиттером и прошедшие базу, полнее собирались коллектором, площадь коллекторного перехода делают больше площади эмиттерного перехода (рис. 3.1, д).

В транзисторах n-р-n-типа функции всех трех слоев транзистора и их названия аналогичны, изменяется лишь тип носителей заряда, проходящих через базу: в приборах типа р-n-р – это дырки, в приборах типа n-р-n – электроны.

Рис. 3.1. Биполярные транзисторы: а – типа p-n-p; б – типа n-p-n; в, г – условное графическое обозначение p-n-p- и n-p-n-типов соответственно; д – структура сплавного транзистора p-n-p-типа