МДП - транзисторы со встроенным каналом

Структура p – канального МДП – транзистора со встроенным каналом показана на рис. 9, б. Канал между истоком и стоком у этого типа транзисторов присутствует всегда. Он может быть создан либо методом локальной диффузии, или методом ионной имплантации соответствующих примесей в приповерхностный слой подложки под затвором.

Модуляция сопротивления проводящего канала этого транзистора может осуществляться подачей на затвор положительного или отрицательного напряжения. При подаче положительного электрическое поле затвора вытесняет дырки из канала, эффективное сечение канала уменьшается, и ток стока тоже уменьшается. В этом случае транзистор работает в режимеобеднения. При подаче отрицательного электрическое поле затвора стимулирует приток дырок в канал из тела подложки, поэтому ток стока возрастает за счет роста проводимости канала. Транзистор при этом работает в режиме обогащения. Это отражают и статические выходные ВАХ и сток - затворные характеристики, представленные на рис.13.

Статические сток – затворные ВАХ выходят из точки на оси , соответствующей напряжению отсечки , т.е. напряжению на затворе МДП – транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного малого значения.

Отметим главное отличие МДП – транзисторов с индуцированным и встроенным каналами. Первые могут работать только

в режиме обогащения, а вторые – как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения.