Короткі теоретичні відомості

Транзистор - напівпровідниковий прилад, що склада­ється із двох, близько розміщенних р-п пере­ходів. Тобто - це на­півпровідниковий мо­нокристал, в якому створені три області з різними типами про­ відності.

Мал. 2.59.

Залежно від виконуваних функцій їх називають: емітер (від лат. emittio - випускаю) - область, яка є джерелом віль­них носіїв електричного заряду; колектор (від лат. colligo -збираю, з'єдную) - область транзистора, в яку потрапляють вільні носії електричного заряду, випущені емітером. Між емітером і колектором, котрі мають один і той самий тип провідності, знаходиться база (від грец. - основа) - досить тонка область, концентрація вільних носіїв в якій набагато менша, ніж у емітері і колекторі. Якщо транзистор виготовлений так, що база має електронну провідність, то йо­го називають транзистором р-п-р типу(мал. 2.59а), якщо ж база має діркову провідність, то - п-р-п типу(мал. 2.59б).

Транзистор використову­ють для підсилення сили стру­му, напруги, потужності, а та­кож для узгодження парамет­рів у складних електричних схемах. Залежно від призна­чення, можливі три способи включення транзистора: із спільною базою (мал.2.60а), із спільним емітером (мал. 2.60б) і спільним колектором (мал. 2.60в).

Розглянемо фізичні проце­си, які вібуваються в р-п-р-транзисторі, увімкненому за схемою із спільним емітером (мал. 2.61). Прикладемо до емітерного переходу невелику напругу в прямому напрямку, а до колекторного переходу на- багато більшу напругу в зворотному напрямку.

Мал. 2.61.

Такий спо­сіб увімкнення зменшує контактну різницю потенціалів пе­реходу емітер - база і виникає струм, обумовлений рухом дірок Вільні носії, які при цьому потрапляють в базу, ча­стково рекомбінують, але, завдяки малій товщині бази і низькій концентрації електронів в ній, більшість дірок до­сягає колекторного переходу внаслідок дифузії. Зворотна напруга, що прикладена до колектора, створює сильне електричне поле - товщина p-n-переходу, вона має досить малі значення (типово 50-60 мкм). Це поле втягує дірки, що є в базі, в колектор, збільшуючи їх швидкість. Та­ким чином, всі дірки, які досягли колекторного переходу, будуть брати участь в утворенні струму колектора їх концентрацію можна виразити як:

де - концентрація дірок, випущених емітером, - кон­центрація тих дірок, які рекомбінували в базі, - концен­трація вільних носіїв власне в колекторі.

Різниця потенціалів між емітером і колектором у десят­ки разів більша за різницю потенціалів між емітером і ба­зою. А це означає, що змінами струму бази можна керувати вихідним струмом зміни якого будуть відповідними за формою але значно більшими за величиною.

Мал. 2.62. Мал. 2.63.

Транзистори характеризуються сукупністю вхідних і вихідних статичних характеристик:

1. Вхідні характеристики відображають залежність вхідного струму від вхідної напруги: при const (мал. 2.62).

2. Вихідні характеристики відображають залежність вихідного струму від вихідної напруги при сталому вхід­ному струмі (мал. 2.63):

при

За цими характеристиками визначають основні пара­метри транзистора:

1. Вхідний опір при

2. Вихідний опір при

3. Коефіцієнт підсилення струму при const.

Хід роботи

Схема пристрою наведена на передній панелі приладу (мал. 2.64).

Мал. 2.64.

Напруга живлення 6 В. На вхідну ділянку напруга по­дається через дільник із опорів За допомогою по­тенціометра rt. можна плавно змінювати напругу, що по­дається на емітерний перехід Ця напруга вимірюється мілівольтметром, а струм - мікроамперметром. За допо­могою можна плавно змінювати напругу вихідного кола, яка вимірюється мілівольтметром, якщо перемикач на па­нелі знаходиться в положенні Для вимірювання струму необхідно перемикач мікрометра перемістити в положення

Завдання 1. Отримання вхідних і вихідних статичних ха­рактеристик транзистора і визначення його параметрів.

1. Повернути ручки регуляторів напруги на базі та ко­лекторі в крайнє ліве положення. Увімкнути вилку живлен­ня в мережу так, щоб "+" вилки збігався з "+" розетки.

2. Регулятором напруги на колекторі встановити 2 В.

3. Підтримуючи напругу на колекторі постійною, змі­нювати напругу на емітерному переході потенціометром і виміряти струм через перехід. Значення напруги змінювати відповідно до таблиці 1.

Таблиця 1.

4. Регулятором напруги встановити струм бази 20 л*к/4.

5.Перемикачем напруги на панелі встановити поло­ження

Регулятором напруги встановлювати значення на­пруги відповідно до таблиці 2, при цьому підтримувати за допомогою регулятора струм

6. Перемикач на панелі - в положення Занести значення сили струму в таблицю 2.

7. Повторити пункти 4 і 5 з тією різницею, що струм ба­зи

Таблиця 2.

Завдання 1. Опрацювання результатів.

1. За отриманими даними побудувати одну вхідну і дві вихідні характеристики.

2. Обчислити вхідний опір транзистора при

3. Обчислити вихідний опір транзистора при

4. Обчислити коефіцієнт підсилення струму при

Контрольні питання

1. Що таке транзистор? Які види транзисторів ви знаєте? Як нази­ваються області транзистора?

2. Які процеси відбуваються в /^-«-переході за відсутності зовніш­нього електричного поля?

3. Що таке контактна різниця потенціалів?

4. Які бувають схеми увімкнення транзистора?

5. Поясніть фізичні процеси, які відбуваються, якщо транзистор увімкнено за схемою із спільним емітером.

6. Перерахуйте основні параметри транзистора і поясніть, яким чи­ном їх можна отримати.

7. Намалюйте загальний вигляд сукупності вхідних характеристик.

8. Намалюйте загальний вигляд сукупності вихідних характерис­тик.

9. Наведіть приклади застосування транзистора.

2.7.4. ЛАБОРАТОРНА РОБОТА №4 "Електрофоретичний метод визначення рухли­вості іонів"

Роботи

1. Електричний струм і його основні характеристики.

2. Питома електропровідність. Закон Ома в диференціальній формі.

3. Електропровідність речовин. Рухливість та концентрація вільних носіїв.

4. Електрофорез та його використання.