Токи в полупроводниках
В полупроводнике электрический ток может быть вызван двумя причинами:
· электрическим полем;
· разностью концентраций носителей заряда.
Дрейфовый ток
Рассмотрим первую причину.
Направленное движение носителей заряда (НЗ) под действием электрического поля называется дрейфовым током.
Если к полупроводнику подключить источник постоянного напряжения, то под действием внешнего электрического поля электроны и дырки начнут перемещаться в противоположных направлениях (электроны будут двигаться к плюсовой клемме источника питания, т.е. в сторону, противоположную направлению поля, а дырки – к минусовой, т.е. по направлению поля) – возникнет дрейфовый ток.
полупроводник
Ө
IДР Е
UПИТ
Е – напряженность электрического поля
За направление тока принято считать направление движения дырок.
Диффузионный ток
Диффузионный ток – это направленное движение НЗ, возникающее из-за разности их концентраций.
Если какую-то часть полупроводника нагреть, то в этой области возникнет повышенная концентрация зарядов (за счет термогенерации, т.е. генерации, вызванной тепловой энергией).
Но чем выше концентрация НЗ, тем больше вероятность столкновения электронов друг с другом, в результате чего электроны будут как бы «выталкиваться» из области с повышенной концентрацией НЗ в область, где эта концентрация ниже.
Таким образом, НЗ стремятся к выравниванию концентраций.
Это явление получило название «диффузия» - проникновение.
Контактные явления
P-n переход
P-n переход – это контакт двух полупроводников с разной проводимостью.
Контакт нельзя создать простым соприкосновением двух полупроводников, т.к. при этом неизбежен слой воздуха, окислов, грязи. Для получения p-n перехода используется особая технология.
p n
d – толщина перехода
d (0,1÷1) мкМ (1мкМ=10-6 М)
Заштрихованная область называется приконтактной областью.
Дата добавления: 2019-02-08; просмотров: 423;