Влияние температуры на работу полевого транзистора

При повышении температуры у полевых транзисторов:

- возрастает обратный ток управляющего p-n перехода, вследствие чего снижается входное сопротивление r_вх;

- уменьшается ширина управляющего p-n перехода, поэтому возрастает ширина канала и увеличивается ток стока;

- снижается подвижность носителей зарядов, что уменьшает ток стока.

Два последних явления могут компенсировать друг друга, и в некоторой точке сток - затворной характеристики ток стока практически не будет зависеть от температуры (термостабильная рабочая точка).

На рис. 13.4. представлены изменения сток - затворных характеристик полевых транзисторов с управляющим p-n переходом и изолированным затвором (индуцированный канал) в зависимости от температуры.

а)	б)

Рис. 13.4. Изменения сток - затворных характеристик полевого транзистора в зависимости от температуры:

а - с управляющим p-n переходом; б- с изолированным затвором (индуцированный канал)

У полевого транзистора с управляющим p-n переходом точка термокомпенсации отстоит от напряжения отсечки примерно на 0,8 В, а значение тока стока при этом лежит в пределах 0,1…1 мА.

У транзистора с изолированным затвором с ростом температуры уменьшается подвижность зарядов, но возрастает ионизация поверхностных состояний подзатворной области подложки. В результате эти факторы компенсируют друг друга, и ток стока в термостабильной точке лежит в пределах 0,05…0,5 мА.

Наличие термостабильной точки позволяет создать на основе полевого транзистора с управляющим p-n переходом схему генератора тока (рис. 13.5).

Рис. 13.5. Генератор тока на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом

Сопротивление резистора R_и выбирается таким образом, чтобы при протекании тока I_с транзистор устанавливался в термостабильную рабочую точку. Такой генератор тока применяют в дифференциальном усилителе вместо резистора R_э (см. раздел 11.4).