Прямое и обратное включение p-n перехода

Если к p-n переходу приложить внешнюю разность потенциалов U, как это показано на (рис. 27) (это - так называемое прямое включение p-n перехода), то внешнее поле E_внеш уменьшит существующее в кристалле поле E, и высота порогов уменьшится, тогда ток основных носителей возрастет в соответствии с формулой:

.

Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей.

Если к p-n переходу приложить внешнюю разность потенциалов "наоборот", как это показано на (рис. 28) (так называемое обратное включение p-n перехода), то внешнее поле Е_внеш увеличит существующее на границе поле E, и высота порогов увеличится. Ток основных носителей от этого уменьшится. Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей.

Рис.27. Прямое включение p-n-перехода(в верху); потенциальный порог вблизи p-n- перехода при прямом включении внешнего поля в нем (в внизу)

Если к p-n переходу приложить внешнюю разность потенциалов "наоборот", как это показано на (рис. 28) (так называемое обратное включение p-n перехода), то внешнее поле Е_внеш увеличит существующее на границе поле E, и высота порогов увеличится. Ток основных носителей от этого уменьшится. Ток неосновных носителей при этом практически не изменится, так как он лимитируется малым числом неосновных носителей.

Рис.28. Обратное включение p-n-перехода(в верху); потенциальный порог вблизи p-n- перехода при обратном включении внешнего поля в нем (в внизу)