Параметрические усилители

Активным элементом параметрического усилителя (ПУ) является нелинейная емкость перехода параметрического диода . Величина этой емкости зависит от приложенного к диоду напряжения u. Усиление сигнала в ПУ осуществляется за счет передачи энергии вспомогательного генератора, называемого генератором накачки, входному сигналу с помощью периодически изменяющейся емкости , изменения которой обусловлены воздействием напряжения генератора накачки на параметрический диод. Передача энергии эквивалентна внесению во входной контур усилителя, настроенного на частоту усиливаемого сигнала f _с , отрицательного сопротивления, что приводит к регенеративному характеру процесса усиления.

В настоящее время из всех разновидностей ПУ в диапазоне СВЧ применяют в основном двухчастотные регенеративные параметрические усилители. В этих ПУ наряду с сигналом накачки с частотой f_н используют сигнал на холостой частоте f_х = f_н – f_с, возникающий при взаимодействии входного сигнала и периодически изменяющейся емкости . .

В зависимости от соотношения частот f_х и f_с различают два вида двухчастотных ПУ: двухконтурный (ДПУ) и одноконтурный (ОПУ). В ДПУ частоты f_х и f_с значительно отличаются, так что для их выделения в усилителе имеются отдельные контуры, причем холостой контур не имеет связи с входом, который также является и выходом усилителя. На рис. 6 изображена эквивалентная схема ДПУ. Параметрический усилитель работает на отражение и поэтому использует ферритовый циркулятор (с волновым сопротивлением W) для разделения входного и выходного сигналов.

Входной сигнал P_{с вх}, подводимый через циркулятор к ПУ в виде падающей волны, возбуждает отраженную волну сигнала P_{с вых}, мощность которой в результате усиления превышает мощность падающей в раз. К первому плечу циркулятора (Ц) подключены: реактивные четырехполюсники и , трансформирующие сопротивления источника сигнала W и сопротивление генератора ( ) накачки R_г к клеммам полупроводниковой структуры диода, фильтры , , , пропускающие только частоты f_с, f_х, f_н, параметрический диод с нелинейной емкостью и эквивалентным сопротивлением потерь r и генератор накачки ( ). К третьему плечу циркулятора подключена нагрузка . Минимальная шумовая температура параметрического усилителя определяется выбранной величиной K_p и динамической добротностью диода

где ,

f_кр − критическая частота диода.

Критическая частота диода представляет собой такую частоту сигнала, до которой одноконтурный параметрический усилитель, собранный на этом диоде, может усиливать входной сигнал, т.е. обеспечивать . Величина f_кр определяется типом диода и режимом его работы и может быть оценена по выражению

где − коэффициент модуляции емкости диода,

, u_{нор.обр} , - параметры диода:

− контактная разность потенциалов полупроводниковой структуры,

u_{нор.обр} − нормируемое обратное напряжение

τ(u₀) − постоянная времени диода при выбранном напряжении смещения u₀.

Оптимальные значения холостой частоты и частоты накачки, при которых шумовая температура ПУ минимальна, могут быть рассчитаны по выражениям