Селективные усилители на транзисторах

В диапазоне до 300-500 мГц расчет СУ на транзисторах проводится на основе Y − параметров. Величина Y − параметров определяется типом транзистора, его режимом работы, рабочей частотой т. схемой включения. Связь Y − параметров транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером (ОЭ), со схемами включения с общей базой (ОБ) и с каскадной схемой ОЭ-ОБ, приведена в табл.16.

Таблица 16

Эквивалентная схема СУ на транзисторе приведена на рис. 5. Она состоит из транзистора, представленного в виде четырехполюсника ||Y||, входного и выходного колебательных контуров (K1), (К2), источника сигнала I_C с проводимостью g_C, нагрузки с проводимостью g_Н.

Существует ряд режимов работы СУ, которые отличаются различными величинами коэффициента усиления, коэффициента шума, частотной избирательности. Режимы работы СУ обеспечиваются соответствующим выбором коэффициентов включения m_IJ транзистора, источника сигнала и нагрузки в контуре.

Вне зависимости от того, в каком режиме работает СУ, необходимо выполнение условия:

,

где K₀ - резонансный коэффициент усиления СУ,

- устойчивый коэффициент усиления,

k_У – коэффициент устойчивости,

− модуль крутизны транзистора,

− модуль обратной проходной проводимости транзистора.

Выполнение этого условия гарантирует устойчивость усилителя и обеспечивает стабильность заданных частотных характеристик СУ. Рассмотрим некоторые из режимов работы СУ.