Расчет статических параметров

Расчет статических и динамических параметров заданной базовой схемотехнической структуры на комплементарных МОП-транзисторах основан на предварительной замене последовательно включенных управляющих транзисторов одним эквивалентным транзистором с удельной крутизной

и параллельно включенных нагрузочных транзисторов одним эквивалентным транзистором с удельной крутизной

Принимая однотипные транзисторы идентичными определяем эквивалентную удельную крутизну управляющих транзисторов

и нагрузочных транзисторов

Для обеспечения условия нормальной работы

выбираем напряжение питания .

Высокий и низкий уровни выходного напряжения

В; В.

Логический перепад

В.

Пороговое напряжение

Помехозащищенность по уровню логического “0”:

В.

Помехозащищенность по уровню логической “1”

В.

Помехоустойчивость по уровню логического “0”

Помехоустойчивость по уровню логической “1”

Как видно из расчетов, форма передаточной характеристики отличается от оптимальной, поскольку , , .

Используя систему уравнений Хофстайна для МОП-транзистора с индуцированным каналом

и учитывая, что , , , получим аналитическое выражение передаточной характеристики базовой схемотехнической структуры на комплементарных МОП-транзисторах вида