ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ДИОДЫ.

 

Высокочастотные диоды предназначены для работы на частотах до 1000 МГц. На таких частотах могут работать только диоды с малой емкостью перехода (не более 1-2 пФ). Поэтому в качестве высокочастотных в большинстве случаев используют точечные диоды. Поскольку высокочастотные диоды могут хорошо работать и на низких частотах, т.е. в широком диапазоне частот, их называют также универсальными.

Из-за малой площади перехода максимально допустимый Iпр. у высокочастотных диодов обычно не превышает несколько десятков мА. Максимально допустимое Uобр. также невелико – десятки В.

Т.к. высокочастотные диоды могут применятся в преобразователях частоты и в других нелинейных устройствах, важным параметром для них является дифференциальное Rпр. или сопротивление переменному току, представляющее собой отношение малого приращения Uпр. к вызванному этим приращением приросту Iпр. :

r диф.= dUпр./dIпр.≈ ΔUпр./ΔIпр

Дифференциальное сопротивление следует отличать от сопротивления диода постоянному току, которое определяется, как было отмечено ранее, отношением U к I в заданной точке характеристики:

R стат. = Uпр. / Iпр.

 

Из рис. 4 видно, что Rдиф. диода, определяемое наклоном касательной 1 в данной точке А характеристики, всегда меньше сопротивления постоянному току, определяемого наклоном прямой 2, проходящей через начало координат и эту же точку:

Rдиф. < Rст.

 

 

Rдиф. точечных диодов имеет порядок единиц – десятков Ом, а Rст. десятков – сотен Ом. Поскольку R диф. диодов в сильной мере зависит от Iпр., при котором оно определяется, в справочниках обычно приводят зависимости Rдиф. от Iпр..

 

ИМПУЛЬСНЫЕ ДИОДЫ.

 

Импульсным называется диод с малой длительностью переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

Импульсные диоды работают в различных электронных схемах в качестве электронного ключа (рис. 5).

 

На диод, соединенный последовательно с нагрузкой, подается импульсное напряжение. При положительном импульсе диод находится под прямым напряжением, его сопротивление мало (ключ замкнут), через нагрузку протекает ток. При отрицательном импульсе к VD приложено Uобр., его сопротивление велико (ключ разомкнут), тока в нагрузке нет. Длительность импульсов может быть очень мала. Тогда для нормальной работы схемы, диод должен очень быстро переходить из одного состояния в другое. Однако это затруднено инерционностью диода, т.к. при смене полярности, с прямой на обратную, сопротивление диода не может мгновенно измениться от Rпр. до Rобр., требуется определенное время.

Интервал времени от момента переключения диода с прямого напряжения на обратное, в течение которого Rобр. перехода полупроводникового диода восстановится до постоянного значения, называется временем восстановления обратного сопротивления и обозначается τвосст.

На импульс Iобр. оказывает также влияние емкость диода Сд. При переходе на Uобр. эта емкость заряжается и ток заряда повышает импульс Iобр.. Понижение τвосст. в импульсных диодах достигается в основном путем ускорения процесса рекомбинации в базе (примесь Au в базе), а также понижением емкости диода (применение микросплавных переходов). Значительное понижение τвосст. дает использование диода с контактом металл - полупроводник (диоды Шотки). Эти диоды работают без инжекции не основных носителей в базу, а значит, у них нет накопления и рассасывания этих носителей в базе. Инерционность диодов Шотки обусловлена лишь их емкостью.

 






Дата добавления: 2016-12-16; просмотров: 5598; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ


Поиск по сайту:

Воспользовавшись поиском можно найти нужную информацию на сайте.

Поделитесь с друзьями:

Считаете данную информацию полезной, тогда расскажите друзьям в соц. сетях.
Poznayka.org - Познайка.Орг - 2016-2022 год. Материал предоставляется для ознакомительных и учебных целей.
Генерация страницы за: 0.017 сек.