Узкополосное согласование

<10 111213 14 15 16 >

На рисунках 1.2 и 1.3 представлены схемы каскадов усилителей, у которых входные и выходные сопротивления транзисторов согласованы с характеристическим (волновым) сопротивлением ρ₀, не содержащем реактивных элементов. Согласование осуществляется отрезками микрополосковых линий l₁, l₂ и l_Ш1, l_Ш2. Микрополосковая линия (МПЛ) состоит из узкой металлической полоски и заземляющей плоскости, разделенных слоем диэлектрической подложки (рисунок 7.1). При этом шлейфы l_Ш1 и l_Ш2 компенсируют емкости входа и выхода транзистора, а четвертьволновые отрезки микроволновых линий l₁ и l₂ являются трансформаторами сопротивлений.

Рисунок 7.1

Компенсация входной и выходной емкости транзистора X_С_i (i=1,2) короткозамкнутыми шлейфами l_Ш1 и l_Ш2 будет при условии:

(7.1)

Отсюда необходимая длина шлейфов

(7.2)

Здесь X_С1=1/ω₀С_вх; X_С2=1/ω₀С_вых – соответственно сопротивления входной и выходной емкости транзистора на средней частоте диапазона f₀; – длина волны в микрополосковой линии; λ₀=υ/f₀ – длина волны в свободном пространстве (в воздухе), соответствующая средней частоте диапазона; υ=3·10⁸ м/с – скорость света в свободном пространстве;

(7.3)

– эффективная диэлектрическая проницаемость среды в линии; ε_r – диэлектрическая проницаемость подложки;

(7.4)

– относительная ширина полоски; h – высота подложки (смотри рисунок 7.1).

Более точные значения (по сравнению с (7.3) и (7.4)) ε_эф и ρ в зависимости от b/h для поликоровой подложки (ε_r=9.6) приведены в таблице 7.1. При этом в диапазоне частот f=0.3…5 ГГц надо пользоваться графой t/h=0.1; в диапазоне частот f=5…15 ГГц – графой t/h=0.01; при f>15 ГГц – графой t/h=0.

Для выбранного значения волнового сопротивления ρ по формуле (7.4) или по таблице 7.1 определяется относительная ширина полоски b/h, затем при заданной высоте подложки h находится абсолютная ширина b=(b/h)h.

Следует иметь в виду ограничение l_min>b.

Трансформация активных входного R_ВХ и выходного R_ВЫХ сопротивлений транзистора для согласования с волновым сопротивлением тракта СВЧ ρ₀ осуществляется четвертьволновыми трансформаторами l₁ на входе и l₂ на выходе. Для этого волновые сопротивления отрезков МПЛ l₁ и l₂ должны быть равны:

(7.5)

Из-за технологических ограничений реализуемое значение ρ_вх и ρ_вых должно быть в пределах (20…100) Ом. Поэтому, если согласование с помощью одного отрезка МПЛ нереализуемо, то можно использовать двухступенчатый трансформатор сопротивлений из двух четвертьволновых отрезков МПЛ. Для этого выбирается легко реализуемое значение ρ₁ и рассчитывается необходимое характеристическое сопротивление

(7.6)

где R_Н=R_ВХ или R_Н=R_ВЫХ.

Далее по формулам (7.3) и (7.4) или по таблице 7.1 для полученных значений ρ₁ и ρ₂ определяются значения ε_эф и b/h, которые определяют геометрические размеры отрезков МПЛ l₁ и l₂:

(7.7)

Порядок расчета узкополосного согласования рассмотрим на примере схемы рисунка 1.3.

Пример

Согласовать входное сопротивление транзистора УРЧ с волновым сопро-тивлением тракта СВЧ.

Исходные данные

Диапазон усиливаемых частот f=1805…1880 МГц; f₀=(f_нf_в)^1/2=1842 МГц.

Волновое сопротивление тракта ρ₀=50 Ом.

Входное сопротивление транзистора Z_вх=R_вх+jX_С=66-j105 Ом.

Расчет

1. Определяется относительная полоса согласования

Так как П/f₀<0.05, то можно применить узкополосное согласование.

2. Определяется длина реактивного шлейфа

Рассчитывается длина волны в МПЛ

где .

Эффективную диэлектрическую проницаемость ε_эф и относительную ширину шлейфа можно рассчитать по формулам (7.3) и (7.4). Если согласующие отрезки МПЛ размещены на поликоровой подложке, то лучше воспользо-ваться таблицей 7.1.

Таблица 7.1

b/h	ε_r=9.6
t/h=0	t/h=0.01	t/h=0.1
ρ	ε_эф	ρ	ε_эф	ρ	ε_эф
0.10	109.03	5.82	106.80	5.67	97.88	5.11
0.15	98.46	5.88	96.90	5.76	89.96	5.26
0.20	90.96	5.93	89.77	5.83	84.08	5.38
0.25	85.16	5.97	84.20	5.88	79.36	5.47
0.30	80.42	6.01	79.63	5.94	75.42	5.55
0.45	70.01	6.09	72.47	6.03	69.11	5.68
0.60	62.57	6.22	62.22	6.18	59.89	5.89
0.70	58.66	6.28	58.39	6.24	56.36	5.97
0.80	55.31	6.34	55.09	6.31	53.31	6.05
0.90	52.38	6.40	52.20	6.37	50.63	6.13
1.00	49.79	6.45	49.64	6.42	48.23	6.19
1.50	40.19	6.69	40.13	6.68	39.25	6.49
2.00	33.87	6.90	33.84	6.89	30.24	6.73
2.50	29.33	7.08	29.32	7.07	28.89	6.94
3.00	25.90	7.23	25.89	7.23	25.57	7.11
3.50	23.20	7.37	23.19	7.37	22.95	7.26
4.00	21.02	7.49	21.01	7.48	20.83	7.40
4.50	19.22	7.60	19.21	7.59	19.08	7.51

Берется ближайшее к ρ₀=50 Ом значение 50.63 Ом при t/h=0.1; для него ε_эф=6.13 и b/h=0.9. Тогда

Длина шлейфа

Ширина полоски шлейфа при высоте подложки h=1 мм будет

3. Вычисляется волновое сопротивление четвертьволнового трансформа-тора l₁

Из таблицы 7.1 для поликоровой подложки при ρ_вх=57.4 Ом и t/h=0.1 ближайшие значения будут ε_эф=5.97 и b/h=0.7. Отсюда длина четвертьвол-нового отрезка МПЛ